"paisutakistus" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

MOSFET-ide pingetipu tundlikkus kasvab kasvab langeb IGBT-de pingetipu tundlikkus kasvab langeb kasvab Lühisetaluvus langeb jääb samaks kasvab Päriparameetrid (RDS(on), UCE(th)) langeb jääb samaks jääb samaks Juhtpinged ja paisutakistus võivad mõjutada IGBT-transistori avanemise kõiki etappe ton = td(on) + tr ning sulgumise kõiki etappe toff = td(off) + tf erineval viisil, sõltuvalt tõusu ajast tr ning taastumisajast tf. Kuna paisumahtuvus summeerib juhtpingete UGG+ ja UGG- vahemiku enne lülitamist, võib mahtuvuse ümberlaadumise aeg kahaneda (avanemisviivitus td(on), sulgumisviivitus td(off)) antud takisti RG korral, kui ümberlaadumisvool või (UGG+ + UGG-) kasvavad.