"paisutakistitega" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

kus ton avamis-ja sulgemisimpulsi kestus ja fc lülitussagedus. Paisutakisti hajuvõimsuse transistori avamisel ja sulgemisel võib arvutada valemitega PG ( on ) = IG2 ( on )rms RG ( on ) ,  107 PG ( off ) = IG2 ( off )rms RG ( off ) . IGBT-ja MOSFET-jõutransistoride juhtimise eeliseks eraldatud paisutakistitega on võimalus hinnata ja optimeerida avamis-liigpingeid, sulgemis-liigpingeid ja lühiste tekkimise võimalusi. Kui paisutakisti tarbeks on ainult üks väljund, siis tuleb kasutada ebasümmeetrilist juhtimist (joonis 3.13, a). Transistori avamise ja sulgemise eraldi juhtimiseks kasutatakse teist takistit RG2 ja sellega jadamisi ühendatud dioodi VD, mis ühendatakse rööpselt paisutakistiga RG1. Selle paisutakisti RG1 takistuse suurendamine pikendab IGBT-transistori sulgumisaega, millega