"paisutakistiga" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

IGBT-ja MOSFET-jõutransistoride juhtimise eeliseks eraldatud paisutakistitega on võimalus hinnata ja optimeerida avamis-liigpingeid, sulgemis-liigpingeid ja lühiste tekkimise võimalusi. Kui paisutakisti tarbeks on ainult üks väljund, siis tuleb kasutada ebasümmeetrilist juhtimist (joonis 3.13, a). Transistori avamise ja sulgemise eraldi juhtimiseks kasutatakse teist takistit RG2 ja sellega jadamisi ühendatud dioodi VD, mis ühendatakse rööpselt paisutakistiga RG1. Selle paisutakisti RG1 takistuse suurendamine pikendab IGBT-transistori sulgumisaega, millega väheneb ka sulgumise liigpinge. Takisti RG2 takistuse suurendamine pikendab avanemisaega ning sellega väheneb vabavooludioodi maksimaalne vastuvool. Selline juhtlülitus põhjustab lühiseid MOSFET-moodulites, kuna puudub ajaline viide, mille vältel MOSFET-transistorid jõuaksid ümber lülituda. Joonisel 3.13, b on ühise paisutakistiga juhtlülitus, kus sama takistit