Et seda tüüpi väljatransistori parameetrid sõltuvad temperatuurist vähe (neeluvool temperatuuri tõustes väheneb ülimalt 3% 10° kohta), siis võib kasutada lihtsaimat automaatse eelpingestuse lülitust takisti RS abil, nagu elektronlambi puhul seda katoodtakistiga tehakse (joonis 6.7 a). Siis osutub nkanaliga transistoris pais lättest negatiivsemaks: paisul on takisti RG kaudu üldjuhtme potentsiaal, kuid läte on üldjuhtmest takistil RS tekkinud pingelangu võrra positiivsem. Paisutakisti RG takistuse võib võtta küllaltki suure, sest paisuvool IG < 0,01...0,1 mA. Et paisuvoolu muutus temperatuuri mõjul siiski ei mõjutaks neeluvoolu, siis ei tohiks paisutakisti takistus olla üle 3...10 MW. Lättetakistiga RS võib ühendada vahelduvvoolu-vastuside kõrvaldamiseks rööbiti kondensaatori CS samadel kaalutlustel kui bipolaartransistori korral. Joonis 6.7. Väljatransistori lähtetööpunkti määramise lülitused: (a) pn-siirde ja n-
kasutatakse tavaliselt kahte tüüpi MOSFET-transistoride (n-kanaliga ja p-kanaliga) juhtimiseks (joonis 3.12, a). Mõlemaid MOSFET-transistori paise juhitakse sama signaaliga. Kui signaal on tugev, avaneb n-kanaliga MOSFET ning, kui signaal on nõrk, siis avaneb p-kanaliga MOSFET. Nagu eelpool märgitud, saab iga IGBT-transistori lülitusomadusi sättida jadatakistiga RG. Kuna IGBT-transistori sisendmahtuvus muutub ja laadub ning tühjeneb lülitamise vältel peab paisutakisti määrama laadumis-ja tühjenemisajad vooluimpulsi (IG) piiramisega transistori avamisel (joonis 3.12, b) ning sulgemisel (joonis 3.12, c). Joonisel 3.12, a näidatud paisupingegeneraatoril on sümmeetrilise juhtimise tarbeks kaks väljundit. Paisutakistid jaotatakse kaheks: avamistakistiks RG(on) ja sulgemistakistiks RG(off). Selliselt piiratakse vältimatu vool allikast UGG+ allikasse UGG- MOSFET-transistori juhtlülituses lülituse kestel
annaabi.ee 
