Teema 3 Pooljuhtseadised 31 Väljatransistoride mõned põhiparameetrid: · Sulgepinge UGS(off) on pinge, mille juures kanal sulgub peaaegu täielikult. · Lävipinge UGS(th) on pinge, millest alates hakkab MOP-transistori kanal avanema. · Tõusuks S nimetatakse neeluvoolu muutuse ja seda põhjustava paisupinge muutuse jagatist (mA/V). Väljatransistoride oluline iseärasus on see, et maksimaalselt lubatavat paisupinget ei tohi ületada. Vastasel korral lööb liigpinge õhuke paisudielektriku kihi läbi ja transistor rikneb. Eriti ohtlikud on staatilised elektrilaengud, mis võivad transistori juba üksnes hetkelisel puudutamisel läbi lüüa. MOP-transistoride monteerimisel tuleb seetõttu hoolikalt täita staatiliste elektrilaengute ärahoidmiseks vajalikke tingimusi (ingl.k. ESD =
Tagamaks IGBT-transistori ohutut avanemist normaaltalitluses, tuleb rakendada pinge UCE(sat) määramist, siis kui viimane on langenud alla seadeväärtuse (UCE(ref)). Vastava ajavahemiku saab valida jooniselt 3.10. Juhtahela klemmide vahelist liigpinge piiramist nõutakse ühest küljest paisu/emitteri või paisu/lätte pinge stabiliseerimiseks ning teisest küljest dünaamiliste lühisvoolude vähendamiseks. Joonis 3.22 annab ülevaate paisupinget piiravatest seadistest, nagu Zeneri diood (a), Schottky diood (b) ja MOSFET-transistor (c). Pinge piiramise lülituste juures tuleb rangelt jälgida, et need oleksid madala induktiivsusega ja paigaldatud paisule võimalikult lähedale. Pinge piiramist transistori jõuklemmidel saab realiseerida transistori abil (läbilöögikindlad MOSFET-id) ning passiivsete või aktiivsete ahelatega, mis piiravad liigpingeid (aktiivne piiramine või paisu dünaamiline juhtimine)
annaabi.ee 
