Bipolaartransistor ühisemitteriga lülituses - Prax 3
Transistor on kolme väljastusega täielikult tüüritav pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi
jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar ehk
väljatransistorideks (jutivuses osalevad elektronid või augud). Järgnevalt vaatleme
bipolaartransistori (edaspidi transistor) ehitust ja tööpõhimõtet. Transistoridest on enamlevinud
räni- või germaaniumtransistorid. Transistori valmistamise aluseks võib olla näiteks p-
juhtivusega räni monokristsll. Sinna tehtud süvenditesse sulandatakse kaks eri kaalutist tina (Sn)
ja fofori (P) segu, et saada kõrglegeeritud n- piirkonnad (joonis 3.17).
Transistoris tekkivad kolm vahelduva juhtivustüübiga ala, mida eraldavad kaks pnsiiret.
Transistorid võivad olla kas pnp- või npn-struktuuriga (juhtivusega). Erinevus nende vahel
seisneb vaid ühendatavate toiteallikate polaarsuses (voolude suunad vastupidised). Transistori