kui 15%; -ainete elektronegatiivsused on lähedased; -ainete kritallvõred on sarnased. Joondefektid Joondefektideks nim ka dislokatsioonideks, kuna nende lähedusse kogunevad lisandite aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud ebaregulaarselt. Tekivad kristallide kasvamisel, -plastilisel deformeerimisel; -vakantside kogunemisel; -tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1)ääre dislok-lisapoolaatomkihi lõppemise äär.; 2) vintdisl- ülemine aatomtasapind on nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes aatomite vahlise vahemaa võrra. Dislokatsioonide uurimiseks kasutatakse optilist ja elektronmikroskoopiat. Enne optilise mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli pinnal nähtavaks söövitamisega keemiliste reagentide abil. Kkuna dislokatsioonid omavad lisaenergiat, siis toimub seal kritalli lahustumine kiiremini ja tekivad söövitussüvendid
3.3 Joondefektid e dislokatsioonid Joondefekte nimetatakse ka dislokatsioonideks, kuna nende lähedusse kogunevad (dislotseeruvad) lisandite aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud ebaregulaarselt. Dislokatsioonid tekivad: - kristallide kasvamisel; - plastilisel deformeerimisel; - vakantside kogunemisel; - tahkete lahuste tekkimisel. On olemas kaht tüüpi dislokatsioone: 1) ääre(serv)dislokatsioon lisapoolaatomkihi lõppemise äär (serv) (joon 3-5); 2) vintdislokatsioon ülemine aatomtasapind on nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes aatomite vahelise vahemaa võrra (joon 3-7). Dislokatsioonide teke vakantside kogunemisel on esitatud joonisel 3-6. Tavaliselt on dislokatsioonid kombineeritud, st lähevad üksteiseks üle (joon 3-8). Dislokatsioonide uurimiseks kasutatakse optilist ja elektronmikroskoopiat. Enne optilise mikroskoobiga vaatamist tehakse dislokatsioonide väljumiskohad kristalli
annaabi.ee 
