vahelduvvoolumootori jaoks loodud juhtimisskeemides, samuti trollibussides veomuunduritena. Pingetel üle 600 V ja sagedustel kuni 20 kHz on IGBT-transistorid tänapäeval MOSFET-jõutransistore välja tõrjumas. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Joonis 3.19. 3300V 1200A Mitsubishi IGBT [http://et.wikipedia.org/wiki/Isoleeritud_paisuga_bipolaartransistor]. 3.4.5 Liittransistor Liittransistoriks nimetatakse kahe või kolme transistori sellist ühendust, mida saab sisuliselt käsitleda ühe transistorina. Nõrga signaali talitluses (võimenditalitluses) on võimalik saada liittransistoride abil väga suuri voolu- ja pingevõimendustegureid ning seetõttu kasutatakse neid sageli analoogintegraalskeemides. Liittransistore võib koostada nii üht tüüpi juhtivusega kui ka erinevat tüüpi juhtivusega transistoridest. Pikkov lk 33 b = b1 * b 2
annaabi.ee 
