"koossulatamise" - 1 õppematerjal

Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused

B ~10 5,9 3,0 2,6 Al ~5 2,4 2,16 1,6 Ga 3,34 2,25 1,45 0,79 In 1,98 1,34 0,46 0,17 Enimkasutatav on GaAs, üldse 2. kohal pärast Si. Keelutsooni laius (1,45 eV) on suurem kui Si-s ja seega ka max töötemperatuur kõrgem (kuni 450 OC). Elektronide liikuvus (0,95 m2/V s) on aga tunduvalt suurem kui ränis ja ka germaaniumis. GaAs saadakse komponentide koossulatamise teel. Puhastamine toimub peamiselt tsoonsulatusega ja monokristalle kasvatatakse sulandist tõmbamise teel. Need operatsioonid viiakse läbi hermeetilistes kvartskonteinerites As rõhu all, et vältida GaAs sublimatsiooni. Kasutatakse väga palju. Kuna juhtivustsooni ja valentstsooni ekstreemumid on kohakuti, saab kasutada kiirgusallikate valmistamiseks. 2.3.4 AIIBVI tüüpi ühendid Need on II rühma elementide (Zn, Cd, Hg) ja VI rühma elementide (S, Se, Te) ühendid.