(enamuslaengukandjaid) satuvab vastupingestatud kollektorsiirde elektrivälja mõjualasse, mis suunab elektronid kollektorisse, tekitades kollektorivoolu. Ainult väike osa elektrone rekombineerub baasis aukudega (vähemuslaengukandjatega), mis moodustavad osa baasivoolust (teise osa baasivoolust moodustavad emittersiirde kaudu emitterisse kulgevad augud). Emitterivool kui tervik jaguneb seega baasivooluks ja kollektorivooluks. Baasivool on kollektorivoolust tunduvalt väiksem (suurusjärgus 1...5%). IE = IK + IB ; IB « I K ; IE IK IK = A · IE Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 14 A on vooluülekandetegur ehk staatiline vooluvõimendustegur, mille väärtus on suurusjärgus 0,95...0,99. Suurtähega A tähistatakse üldiselt alalisvoolu ülekandetegurit
impulssvool, kollektori ja emiteeri vaheline maksimaalne impulsspinge ja avanemis-ning sulgumisajad. Suurte voolude korral kasutatakse transistoride rööplülitust koos täiendava vooluühtlustustakistiga R, nagu on näidatud joonisel 2.4, a. Vooluühtlustustakistite arvutamiseks kasutatakse tehniliste andmete lehelt võetud maksimaalset (Usat max)- ja minimaalset (Usat min) küllastuspinget. Tavaliselt peab voolude ebaühtlus Ir olema väiksem kui 10% kollektorivoolust ning seega: U sat max - U sat min R= . Ir Tänapäeval on bipolaartransistorid peaaegu kõikides jõuelektroonika rakendustes asendatud MOSFET-transistoridega ja IGBT-transistoridega. Nende keskmised võimsuste vahemikud on joonisel 2.5. Märkimisväärne on, et MOSFET-transistoride kiire areng leidis aset alles viimase
annaabi.ee 
