"kilohertsidesse" - 1 õppematerjal

Teema 4, Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed

Bipolaartransistori poolläbipaistva baasikihi kaudu siirde piirkonda langev valgus suurendab kollektorsiirde vastuvoolu. Suurenenud kollektorsiirde vool toimib baasivooluna, mistõttu resulteeriv kollektorivool suureneb vooluülekandeteguri kordselt. Sellest tulenevalt on fototransistor b » 50...200 korda fotodioodist tundlikum (0,1...0,5 A/lm). Et sama arv korda väheneb fototransistori toimekiirus, siis jääb bipolaartransistori struktuuriga fototransistoride piirsagedus sadadesse kilohertsidesse. Kiirematoimelisemad on pn-väljatransistori struktuuriga fototransistorid. Fototransistori väljundtunnusjooned on näidatud joonisel 4.6. Joonis 4.6. Fotodioodi tunnusjooned [2], tingmärk ja väliskuju [5]. Fototransistori baas võib olla välja toodud või mitte (nn. fotoduodioodidel). Eriti suurt vooluvõimendust võimaldab nn. darlington-fototransistor (foto-darlington). Fototransistoride piirsagedus on ca 300 kHz, darlington-fototransistoridel ca 30 kHz.