Teema 4, Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed
baasikihi kaudu siirde piirkonda langev valgus suurendab kollektorsiirde vastuvoolu.
Suurenenud kollektorsiirde vool toimib baasivooluna, mistõttu resulteeriv
kollektorivool suureneb vooluülekandeteguri kordselt. Sellest tulenevalt on
fototransistor b » 50...200 korda fotodioodist tundlikum (0,1...0,5 A/lm).
Et sama arv korda väheneb fototransistori toimekiirus, siis jääb bipolaartransistori
struktuuriga fototransistoride piirsagedus sadadesse kilohertsidesse.
Kiirematoimelisemad on pn-väljatransistori struktuuriga fototransistorid.
Fototransistori väljundtunnusjooned on näidatud joonisel 4.6.
Joonis 4.6. Fotodioodi tunnusjooned [2], tingmärk ja väliskuju [5].
Fototransistori baas võib olla välja toodud või mitte (nn. fotoduodioodidel). Eriti suurt
vooluvõimendust võimaldab nn. darlington-fototransistor (foto-darlington).
Fototransistoride piirsagedus on ca 300 kHz, darlington-fototransistoridel ca 30 kHz.