IGBT, Insulated-gate bipolar transistor) on jõuelektroonika pooljuhtseadis, mida kasutatakse kiiretoimelistes, suurevoolulistes ja suhtelistelt kõrge pingega ahelates lülititena. IGBT ühendab endas kõrge voolutaluvuse ja madala pingelangu, mis on mõlemad iseloomulikud bipolaartransistorile, ning pingega tüürimise, mis on iseloomulik väljatransistorile. Kasutatakse näiteks elektriautodes ja hübriidautodes vahelduvvoolumootori jaoks loodud juhtimisskeemides, samuti trollibussides veomuunduritena. Pingetel üle 600 V ja sagedustel kuni 20 kHz on IGBT-transistorid tänapäeval MOSFET-jõutransistore välja tõrjumas. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Joonis 3.19. 3300V 1200A Mitsubishi IGBT [http://et.wikipedia.org/wiki/Isoleeritud_paisuga_bipolaartransistor]. 3.4.5 Liittransistor
mis on kirjeldatav kahe seisundiga, millised vastavad mõistetele ,,sisse lülitatud" ja ,,välja lülitatud". Mõiste ,,sisse lülitatud" all mõistetakse aparaadi sellist olekut, mille korral tema väljundis on kasulik signaal, näiteks pinge täisväärtus, signaali (pinge) puudumine aga vastab seisundile ,,välja lülitatud". Matemaatiliselt kirjeldatakse neid seisundeid kahendsüsteemi sümbolitega ,,1" ja ,,0". Elektriajamite juhtimisskeemides on leidnud kõige rohkem kasutamist diskreetse toimega kontaktivabad loogikaelemendid. Nende baasil koostatakse juhtimisskeemi loogikaosa, kus sõltuvalt signaalidest elementide sisendeil tekivad nende ja samuti skeemi väljunditel signaalid ,,1" või ,,0". Need signaalid võimendatakse ning nad juhivad täiturelemente (kontaktorid, kontaktivabad türistorkommutaatorid, elektromagnetid jne). Juhtimissignaalide kogumit, mis on vajalik kontaktivabadest
annaabi.ee 
