b = b1 * b 2 Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 25 Joonis 3.20. Valik liitransistoride skeeme (a...d; parempoolne tingmärk iseloomustab struktuuri kui tervikut) [2]. 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid Väljatransistorides tüüritakse ühenimeliste laengukandjate elektronide või aukude hulka juhtivas kanalis elektrivälja abil. Elektriväli tekitatakse juhtelektroodi ehk paisu (ingl. k. gate) pingestamisega lätte e. allika (source) suhtes. Väljatransistori pais sarnaneb oma funktsiooni poolest bipolaartransistoril baasile. Vahe seisneb selles, et baasi tüüritakse vooluga (pinge bipolaartransistori avatud emittersiirdel muutub sealjuures vahemikus u. 0,6...0,9 V), kuid väljatransistori paisu tüüritakse pingega (vool on väga väike ja praktiliselt võib seda lugeda nulliks). Selle omaduse poolest sarnanevad väljatransistorid elektronlampidele.
sulguvad automaatselt võrgupingete toimel ehk loomuliku kommutatsiooni tulemusel. Faasi nihutav juhtahel D võrdleb seadesignaali u* perioodilise kandevsignaaliga uc, mis saadakse võrgupingega Us sünkroniseeritud kandevsignaali generaatorist G. Iga kord, kui signaalide võrdluse tulemus on positiivne esimese poolperioodi algul, formeerib kandevsignaali juhtahel juhtimpulsid ja saadab need võimendisse A. Jõu-ja juhtahelate galvaaniliseks eraldamiseks ühendatakse juhtahela ja türistori juhtelektroodi vahele galvaanilise eralduse ahel Us G VS uc u* u* u* D A T A1 Ud
annaabi.ee 
