nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Bipolaartransistoridel vastavad neile emitter, baas ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just
Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse. Igale konkreetsele baasivoolule vastab kindel võimendatud kollektorvool. Vooluvõimendus on ligikaudne konstant, mis sõltub temperatuurist, sagedusest ja Uk-st. JUGFET võimendi: Transistorid: Filtrid: RC madalpääsfilter RC kõrgpääsfilter RL kõrgpääsfilter LC filter LCR filter Zener diood Zener dioodi kasutatakse vastupingestatult Dioodide lähendused Ideaalne diood: Lihtsustatud diood: Inverteeriv võimendi: Us = I1R1 Uv =- I1R1 Rs=R1 Rv=Rv0 Mitteinverteeriv võimendi: Tagasisidega võimendi
annaabi.ee 
