Materjaliteadus
tekkimine on võimalik, kui:
- aatomite raadiused ei erine rohkem kui ±15%;
- ainete elektronegatiivsused on lähedased;
- ainete kristallvõred on sarnased.
Näiteks Cu ja Ni, mis lahustuvad piiramatult:
R, nm elektroneg kr str
Cu 0,128 1,9 TTK
Ni 0,125 1,8 TTK
Sisendustüüpi tahke lahus tekib, kui Rlis << Rpõhiaine. Ka siis on lahustuvus mitte üle 10%.
Näiteks C rauas lahustub veidi üle 2%.
3.3 Joondefektid e dislokatsioonid
Joondefekte nimetatakse ka dislokatsioonideks, kuna nende lähedusse kogunevad (dislotseeruvad)
lisandite aatomid. Dislokatsioonid on sellised jooned kristallvõres, mille ümber on osa aatomeid paigutunud
ebaregulaarselt.
Dislokatsioonid tekivad:
- kristallide kasvamisel;
- plastilisel deformeerimisel;
- vakantside kogunemisel;
- tahkete lahuste tekkimisel.
On olemas kaht tüüpi dislokatsioone:
1) ääre(serv)dislokatsioon lisapoolaatomkihi lõppemise äär (serv) (joon 3-5);
annaabi.ee 
