pnp(augud)-nool emitterist sisse npn(el-d)-nool välja. Otstarve:reguleerida Usis või Isis-ga läbivoolu. Kirchoff: Ie=Ik+Ib.ibik/100 BPT-l kolmekihiline struktuur, emitter saadab voolukandjaid, kollektor kogub, baas reguleerib. Planetaartehnoloogia K(n), selle sees B(p) kanal, mille sees E(n) kanal. baasi paksus 1um. Võimendus võimsuse järgi, mitte voolu. PNP trans pingestamata nagu 2 dioodi: baasi kohal pot 0, dün tasakaal: p-n siirdeid läbivad Jdif=Jtr. =IEp/IE-injektsiooni tegur 0,995. El-de rekomb tulevad baasiahelast ja moodustavad baasivoolu. Välispingete eesmärk tagada transiitne laengukandjate voog. Vooluülekandetegur =IKp/IE=. Kuna kollektori siire vastupinges, siis vastuvool IKo-soojuslik IB=IEn+IBp-IKo. !! IE=IK+IB | IK=IE+IKo | IB=(1-)IE-IKo!! Lülitused ÜE,ÜB,ÜK- emitterjärgur 2. PTS tõstab võimendustegurit, aga kaotab stabiilsuses. Vaja näiteks generaatoris, PTS
voolukandjaid, kollektor kogub, baas reguleerib. Planetaartehnoloogia K(n), selle sees B(p) kanal, juhtmelõik. Seda tehakse programmaatori abil. mille sees E(n) kanal. baasi paksus 1um. Võimendus võimsuse järgi, mitte voolu. PNP trans 5. suur impedants. Teada, et dig.elektroonika seadmel võib olla kaks olekut 1 ja 0. Kolmandaks pingestamata nagu 2 dioodi: baasi kohal pot 0, dün tasakaal: p-n siirdeid läbivad Jdif=Jtr. =IEp/IE- olekuks on HiZ (ehk float state). HiZ tähendab, et antud injektsiooni tegur 0,995. El-de rekomb tulevad baasiahelast ja moodustavad baasivoolu. element ei anna välja täpselt ei 0 ega 1! Float state "ujuv potentsiaal". Kasutatakse seal, kus on Välispingete eesmärk tagada transiitne rakendatud siinisüsteem. Kui mõlemad puhvrid korraga hakkavad saatma andmeid andmesiinile,
Pp nn 0 = t ln = t ln Pn np t - temperatuuripotentsiaal t 25mV k 1,38·10-23 Boltzmanni [J/K] - konstant q laengukandja laeng Jdif - diff. voolu tihedus Jtr - triivivoolu tihedus Jdif = Jtr kT t = q 24 Pingestame pärisuunas! Ruumiliste laengute Q vähenemine P-n siirde laiuse vähe-
annaabi.ee 
