Elektriajamite elektroonsed susteemid
Sisend- ja väljundtakistuste täpsemal analüüsil tuleb arvestada paisu sisetakistust, IGBT-
transistori triivtakistust, MOSFET-transistori neelu takistust ja p-süvendi kõrvalharu takistust.
Mahtuvused ei sõltu siirde temperatuurist, kuid sõltuvad paisu-emitteri (IGBT-transistorid) ja
paisu-lätte (MOSFET-transistorid) vahelisest pingest. Sõltuvus on oluliselt suurem madalate
pingete korral. Alljärgnevas tabelis on toodud IGBT-transistori IXGN 320N60A3 ja MOSFET-
transistori IXFH 110N10P vastavate mahtuvuste arvväärtused.
Tähis Katse parameetrid Tüüpilised väärtused
CISS 25 nF
COSS IGBT: UCE = 25 V, UGE = 0 V, fC =1 MHz 1000 pF
CRSS 140 pF
annaabi.ee 
