Teema 3, Pooljuhtseadmed
korpust tähistava ringiga.
Nimetus n-kanaliga p-kanaliga
pn-väljatransistor
formeeritava kanaliga ja
isoleeritud paisuga väljatransistor
indutseeritava kanaliga ja
isoleeritud paisuga väljatransistor
Võrrelduna bipolaartransistoridega on väljatransistoridel suur sisendtakistus, pn-
väljatransistoridel sajad megaoomid ja MOP-transistoridel sajad gigaoomid.
Väljatransistoride parameetrid sõltuvad vähem temperatuurist. Soojusläbilöögi oht
on neil väike, sest temperatuuri kasvades neeluvool mitte ei kasva, vaid väheneb.
Väljatransistorid on voolusäästlikumad kui bipolaartransistorid (see kehtib eriti
digitaalelektroonika elementide valdkonnas). Väljatransistoriga võimendi võib töötada
1V või veelgi väiksemal toitepingel. Ka võtab väljatransistor mikroskeemi aluskristallil