Suurenenud kollektorsiirde vool toimib baasivooluna, mistõttu resulteeriv kollektorivool suureneb vooluülekandeteguri kordselt. Sellest tulenevalt on fototransistor b » 50...200 korda fotodioodist tundlikum (0,1...0,5 A/lm). Et sama arv korda väheneb fototransistori toimekiirus, siis jääb bipolaartransistori struktuuriga fototransistoride piirsagedus sadadesse kilohertsidesse. Kiirematoimelisemad on pn-väljatransistori struktuuriga fototransistorid. Fototransistori väljundtunnusjooned on näidatud joonisel 4.6. Joonis 4.6. Fotodioodi tunnusjooned [2], tingmärk ja väliskuju [5]. Fototransistori baas võib olla välja toodud või mitte (nn. fotoduodioodidel). Eriti suurt vooluvõimendust võimaldab nn. darlington-fototransistor (foto-darlington). Fototransistoride piirsagedus on ca 300 kHz, darlington-fototransistoridel ca 30 kHz. Fototransistori tingmärk, aseskeem, foto-darlington (foto-liittransistor) ja
annaabi.ee 
