Teema 4, Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed
..200 korda fotodioodist tundlikum (0,1...0,5 A/lm).
Et sama arv korda väheneb fototransistori toimekiirus, siis jääb bipolaartransistori
struktuuriga fototransistoride piirsagedus sadadesse kilohertsidesse.
Kiirematoimelisemad on pn-väljatransistori struktuuriga fototransistorid.
Fototransistori väljundtunnusjooned on näidatud joonisel 4.6.
Joonis 4.6. Fotodioodi tunnusjooned [2], tingmärk ja väliskuju [5].
Fototransistori baas võib olla välja toodud või mitte (nn. fotoduodioodidel). Eriti suurt
vooluvõimendust võimaldab nn. darlington-fototransistor (foto-darlington).
Fototransistoride piirsagedus on ca 300 kHz, darlington-fototransistoridel ca 30 kHz.
Fototransistori tingmärk, aseskeem, foto-darlington (foto-liittransistor) ja
fotovastuvõtjate skeemid on toodud joonisel 4.7.
Joonis 4.7. Fototransistori tingmärk (a), aseskeem (b), foto-liittransistor (c) ja
fotovastuvõtjate skeemid (d), (e) [2].
Elektroonika alused