Rakenduselektroonika konspekt
sõltub põhiliselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest so. võimenduse piir
sagedus ehk transiitsagedus.
Ühendades otseselt esimese astme kollektori teise astme baasiga tekib prakitiliselt
oht, et teise astme transistor läheb küllastusse, kuna tema baas saab liiga kõrge
pinge, ning võimendi lakkab võimendamast. Samas on võimendi kasutamine vägagi
ahvatlev, sest terve rida elemente jääb ära, ning vähenevad ka sagedus
moonutused. Ereiti oluline on see mikroelektroonikas, sest senini ei osata valmistada
intergraalselt suure mahtuvuslisi kondensaatoreid. Prakitilise realiseerimise
võimaluseks on kasutada esimesest astmest kõrgemat tööpunkti, kuna seljuul
väheneb kollektori ja emiteri vaheline pinge, ning võime vältida teise astme
küllastumist.
Kahjuks kaasneb ka kõrgema tööpunktiga ka kõrgem voolu tarve. Küllalt levinud on
annaabi.ee 
