Laserkiir aurustab materjali ja see sadestub materjali vastas asuvale pinnale. Protsess toimub vaakumis. Keemilise aurufaasi sadestus (CVD) Kasvatusalused asuvad reaktoris, kuhu lastakse termiliselt ebastabiilset ja kasvatavat komponenti sisaldavat gaasi. Reaktori temperatuuri tõstetakse kuni gaas laguneb ning eraldunud tahke osa sadestub kilena alustele ja jääkgaas imetakse reaktorist välja. Tööstuses levinuim õhukeste kilede sünteesimisviis. Metall-orgaaniline aurofaasi epitaksia Lähetaineteks on metallorgaanilised ühendid. Protsess ise on väga keeruline. 44. Nimetage kolm optilise litograafia liiki. Kirjeldage ja iseloomustage neid. 1. Kontaktlitograafia korral pressitakse mask vahetult vastu alust. Meetodi eeliseks on hea ruumiline lahutus, puuduseks maski suhteliselt kiire mehaaniline kulumine (mask on kallis asi!) 2. Lähilitograafia korral asetatakse mask 20-50m kaugusele alusest. See vähendab
Kuiv hapnik, märg hapnik ja veeaur. Ränioksiidi kihi paksus tavaliselt 0.5-1 mm. DIFUSIOON pooljuhi kristalli viiakse lisandid vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Põhineb ainete osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril. Difusandid tavaliselt kas doonor- või aktseptorlisandid. Puudusteks: lisandite sisaldus pole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel, ei saa teostada üle kolme järjestikkuse difusiooni. EPITAKSIA pooljuhtkristalli kasvatus keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised: väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur, samaaegselt kristalli kasvatamisega võimalik sisse viia lisandeid sisalduse ühtlustamiseks, võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi. METALLISEERIMINE metallikihi pealekandmine peale kõigi struktuuride loomist, sellest kihist moodustatakse elementidevaheline juhtmestik. 2. RISC JA CISC PROTSESSORID, MIKROPROGRAMM
või veeaur. Ränioksiidi kihi paksus on tavaliselt 0,5-1um. Difusioon on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni. Epitaksia on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi. Metalliseerimine nimetatakse metallikihi pealekandmist pärast seda, kui kõik struktuurid on loodud, sellest kihist moodustatakse elementidevaheline juhtmestik.
Kuivhapnik, märghapnik või veeaur. Difusioon on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni. Epitaksia on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi. Metalliseerimine nimetatakse metallikihi pealekandmist pärast seda, kui kõik struktuurid on loodud, sellest kihist moodustatakse elementidevaheline juhtmestik. 2
annaabi.ee 
