Tahkiste struktuur
Tõkkekihti
jõudnud elektronid "täidavad" augud ja vastupidi.Tõkkekiht kaob.21.Pn-siirdele
rakendatud vastupinge korral hakkavad valise välja mõjul n-pooljuhis elektronid ja p-
pooljuhis augud liikuma kontaktpinnast kaugemale .Tõkkekihi paksus
suureneb.Lubatud tsoon-on kristallis valentselektronide energiatasemete
jagunemisel tekkinud alatasemete kogum,millele vastavad energiad on elektronidele
lubatud.Keelutsoon-On energiatsoonn,millele vastavad energiavahemikud on
elektronidele laineomaduste tõttu keelatud.Valents tsoon-on viimane elektronidega
täielikult täidetud lubatud tsoon.Juhtivus tsoon- on valentstsoonile järgnev
elektronidega täitmata või osaliselt täidetud lubatud tsoonElektronjuhtivus- on
elektronide siirdumine valise mõjul ühelt alatasemelt teisele pooljuhi
valentstsoonis.Aukjuhtivus-On aukude siirdumine valise elektrivälja mõjul ühelt