Analoogelektroonika lülitused
alalispinget ja voolu. Eriti levinud on otsesidestus integraallülitustes, kuna seal on
üheks eesmärgiks elementide võimalikult suur tihedus baaskristallil ning suured
mahtuvused ei ole seal teostatavad.
Otsesidestuse tülika iseärasusena on esimese astme kollektori alalispinge ühtlasi järgmise
astme baasipingeks. Esimese astme transistori reziimi muutus põhjustab setõttu ka
järgmiste astmete reziimi muutuse. Lisaks vajavad kõik järgnevad astmed
emittertakisteid, et transistoride emittersiiretel kujuneksid normaalsed päripinged.
Pikkov lk 69 (järg)
Skeemil on kujutatud kolmeastmeline otsesidestuses võimendi ÜE-lülituses
astmetega. Skeemi omapäraks on koormuse ühendamine samuti otsesidestuses
(vajalik näiteks alalispinge v. voolu võimendi konstrueerimisel), ent kahepoolset
toiteallikat kasutamata. Et sisendsignaali puudumisel oleks pinge koormustakistil
null, selleks on koormus RH ühendatud sildlülituse diagonaali. Sildlülitus