Keskmist pooljuhtkihti nimetatakse baasiks. Emitterväljastusega ühendatakse toiteallikas UE (pingega ca. 1 V) ja sisendsignaaliallikas Usis. Kollektorväljastusega ühendatakse toiteallikas UK (pingega mõnikümmend volti) ja koormustakisti Rk. Siirde päripingestamisel potentsiaalibarjäär väheneb ja elektronid injekteeruvad baasi. Samaaegselt liiguvad baasipiirkonnast sealsed enamuslaengukandjad (augud) läbi siirde emitterisse. Need mõlemad komponendid moodustavad emitterivoolu IE (aukude osa voolu moodustumises on suhteliselt väike). Kokkuleppeline emitterivoolu suund on vastupidine elektronide liikumise suunale. Baasis muutuvad elektronid vähemuslaengukandjateks liikudes edasi põhiliselt difusiooni teel vasaku siirde poole. Baasi elektriväli praktiliselt elektronide liikumist ei mõjuta, sest nende laengud kompenseeritakse aukude poolt. Difusiooni käigus osa elektrone rekombineerub
Dioodide ja transistorite sagedamini kasutatav materjal oli varem germaanium, kaasajal räni. Viimasel ajal leiab enam kasutamist ka galliumarseniid. 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist.
eelvõimendusastmetes, kui vajatakse suurt sisendtakistust ja väikest sisendmahtuvust; samuti võimsusvõimendites, kui on vaja saada väike väljundtakistus või väike mittelineaarmoonutus (alla 1%). Pikkov lk 30 (järg) ÜB-lülituse sisend- tunnusjoonteks on emitterivoolu IE (sisendvoolu) sõltuvus emitteri ja baasi vahelisest pingest UEB kollektori ja baasi
[vaata | 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. muuda] pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist
Pinge emitteritakistil RE on baasipingest madalam transistori baasi ja emitteri vahelise pinge UBE võrra (ränitransistoridel u. 0,7 V): UE =UB - UBE = const Konstantse baasipinge korral on ka takistit RE läbiv transistori emitterivool IE püsiv, sest selle voolu muutumine mingil põhjusel muudab pingelangu emitteritakistil, mis konstantse baasipinge korral muudab omakorda baasi ja emitteri vahelist pinget just selles suunas, milline töötab emitterivoolu muutusele vastu - lülituses toimib vooluvastuside. Võimendusreziimis transistori kollektorivool on väga lähedane emitterivoolule, erinedes sellest baasivoolu võrra, mille osa emitterivoolust on protsendi suurusjärgus (h21E =100 korral on erinevus 1%). I C = h21E * I B Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 53
annaabi.ee 
