Võimendusastmetes töötab ÜE lülituses transistor tavaliselt tööpiirkonna lineaarses osas, sest vaid siis jääb võimendatav signaal moonutamata. Sellisesse reziimi saab transi viia baasiahela takistite õige valikuga. Enamasti seatakse nad nii, et pinge kollektoril on ligikaudu pool skeemi toitepingest. Takistite valikul tasub meeles pidada järgmist - baasiahela takistus Rbe=R1R2/(R1+R2) olgu võimalikult väike, ärgu ületagu emitteritakistust R4 rohkem kui 5 korda. - Emitteriahela takisti R4 tekitab astmes NEGATIIVSE TAGASISIDE ja on suurusjärgus 300 oomi ... 1k. Selline väärtus annab normaalse temperatuuristabiilsuse ja ka sõltumatuse konkreetse transi võimendusest. - Kui R4 skeemis puudub, on targem ühendada trans nagu järgmisel joonisel. Rakendused. Mingi skeemi toitepinget saab teatavasti stabiliseerida sellise jupiga nagu stabilitron. Suuremat voolu tarbivate seadmete puhul lülitus ei kõlba sest siis tuleks eeltakistit R1 vähendada
faasinurk sisendpinge suhtes 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija Emitterjärgijat (emitterjärgurit) e. ühise kollektoriga (ÜK-) lülitust iseloomustavad väike väljundtakistus ja suur sisendtakistus, suur vooluvõimendustegur ja väike pingevõimendustegur (pisut väiksem kui 1) ning hea temperatuuristabiilsus. Teda kasutatakse siis, kui on vaja võimendusastme suurt sisendtakistust (suurusjärgus ligikaudu b korda suurem kui emitteriahela takistus RE) ja/või väikest väljundtakistust. Sisendsignaal antakse transistori baasile ja väljundsignaal võetakse emitterilt. Transistori kollektor peab võimendatava signaali suhtes olema maandatud (vahelduvsignaali jaoks teostub see läbi toiteallika ja viimast sildava kondensaatori, mida joonisel pole näidatud). Väljundsignaal on sisendsignaaliga samas faasis. Pikkov lk 65 Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised
annaabi.ee 
