Teema 3, Pooljuhtseadmed
(ingl. k. gate) pingestamisega lätte e. allika (source) suhtes.
Väljatransistori pais sarnaneb oma funktsiooni poolest bipolaartransistoril baasile. Vahe
seisneb selles, et baasi tüüritakse vooluga (pinge bipolaartransistori avatud
emittersiirdel muutub sealjuures vahemikus u. 0,6...0,9 V), kuid väljatransistori paisu
tüüritakse pingega (vool on väga väike ja praktiliselt võib seda lugeda nulliks). Selle
omaduse poolest sarnanevad väljatransistorid elektronlampidele.
Väljatransistori voolukanali otsmisi kontakte nimetatakse lätteks (ingl. k. source) ja
neeluks (ingl. k. drain). Kui võrrelda bipolaartransistoriga, siis on lätte vaste emitter ja
neelu vaste kollektor.
Väljatransistorid jagunevad oma struktuurilt
- pn-väljatransistorideks e. pn-tõkkekihiga väljatransistorideks, kus tüüritava
elektrivälja mõjul muutub kanali tegevristlõige, ja
- isoleeritud paisuga väljatransistorideks ehk MOP-transistorideks, milles
annaabi.ee 
