3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse. Igale konkreetsele baasivoolule vastab kindel võimendatud kollektorvool. Vooluvõimendus on ligikaudne konstant, mis sõltub temperatuurist, sagedusest ja Uk-st. JUGFET võimendi: Transistorid: Filtrid: RC madalpääsfilter RC kõrgpääsfilter RL kõrgpääsfilter LC filter LCR filter Zener diood Zener dioodi kasutatakse vastupingestatult Dioodide lähendused Ideaalne diood:
k. p-n junction). Vähemuslaengukandjaile mõjub elektriväli kiirendavalt ning nad läbivad siirde takistamatult. Nende laengute liikumine moodustab triivvoolu. Ka väike osa Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 5 enamuslaengukandjaid läbib soojusliku liikumisenergia tõttu siirde, tekitades difusioonvoolu. Välise energia (pinge, kiirguse jne) puudumisel on triivvool ja difusioonvool võrdsed ja vastassuunalised ning nende summa on null. Enamasti valmistatakse pn-siirded ebasümmeetrilistena s.t. enamuslaengukandjate kontsentratsioon ühes pooljuhtkihis on teise omast 100...1000 korda suurem [2]. Kasutamist leiab ka taoline pn-siire, mis kujuneb mitte kahe erineva juhtivustüübiga pooljuhi kontaktpinnal, vaid n-pooljuhi ja metalli kontaktpinnal. Selline siire on kasutusel nn Schottky dioodides. Pikkov lk 24
annaabi.ee 
