"besat" - 1 õppematerjal

Elektroonika alused

h = f /f 2IE T Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet f , mis on sagedus, mil vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses . 4.5.3. Lülitireziimi parameetri Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge BESAT küllastusreziimis (etteantud baasi-ja kollektorivoolul). Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge U on nende elektroodide vaheline pinge CEsat küllastusreziimis. 4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub voolu- võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks