suuremat võimsust, on suuremad ja kallimad. Tavaliselt valmistatakse kogu integraallülitus ühtse tehnoloogiaga, seadmed on paigaldatud ühtsesse kesta ning on omavahel seotud. Integraallülituse kest on ette nähtud baaskristalli kaitsmiseks välismõjude eest ja lülituse monteerimiseks viikude abil. Integraallülituse kest on ette nähtud baaskristalli kaitsmiseks välismõjude eest ja lülituse monteerimiseks viikude abil. Viikude samm on 1/10 või 1/20 tolli. Viikude arv võib olla 2 ... 32 reas. Talitluse järgi jaotatakse: · analooglülitused; · digitaallülitused; · vastavalt tellija soovile valmistatakse ka selliseid, mis sisaldavad nii analoog- kui digitaalkomponente. Skeemid:
Alalisrezhiimi seadmine väljatransiga võimendusastmes, ühise lättega võimendusastmete skeemid. MOSFET (Metal Oxice Semiconductor Field Effect Transistor) ehk MOP väljatransistor (Metall Oksiid Pooljuht) on selline, kus paisuks on metallplaat, mis on oksiidikihiga isoleeritud pooljuhist, seega paisuvoolu ei eksisteeri. Sellisesse transi võib pooljuhtkanal olla sisseehitatud või siis indutseeritakse pingestamisel. Formeeritud n-kanaliga transistor: p-juhtivusega baaskristalli on tekitatud kaks tugevasti legeeritud n-juhtivusega ala (läte ja neel) ning nende vahele õhuke vähem legeeritud n-juhtivusega kanal. Vaesustusreøiim (Depletion) paisule on rakendatud lätte suhtes negatiivne pinge ning see tõukab elektrone kanalist välja, vähendades niimoodi neeluvoolu Rikastusreøiim (Enhancement) paisule on rakendatud positiivne pinge - elektronide konsentratsioon dielektriku läheduses kasvab ning sellega koos kasvab ka neeluvool
annaabi.ee 
