Elektriajamite elektroonsed susteemid
CRSS 140 pF
CISS 3550 pF
COSS MOSFET: UDS = 25 V, UGS = 0 V, fC =1 MHz 1370 pF
CRSS 440 pF
Joonisel 3.10 on IGBT-transistori lihtsustatud siirdetunnusjooned avanemisel.
Avanemisprotsessi võib jagada kolmeks etapiks: paisu-emitteri mahtuvuse laadimine, paisu-
kollektori mahtuvuse laadimine ja paisu-emitteri mahtuvuse laadimine IGBT-transistori täieliku
küllastumiseni. Ajavahemiku t0 vältel laeb paisuvool IG sisendmahtuvust CGE ja paisu-emitteri
vaheline pinge UGE kasvab läviväärtuseni UGE(th). Kuna UGE on ikka veel madalam kui UGE(th),
puudub sellel etapil kollektori vool ja kollektor-emitteri vaheline pinge UCE on võrdne
toitepingega (UCC)
annaabi.ee 
