"avanemisprotsess" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

kollektori mahtuvuse laadimine ja paisu-emitteri mahtuvuse laadimine IGBT-transistori täieliku küllastumiseni. Ajavahemiku t0 vältel laeb paisuvool IG sisendmahtuvust CGE ja paisu-emitteri vaheline pinge UGE kasvab läviväärtuseni UGE(th). Kuna UGE on ikka veel madalam kui UGE(th), puudub sellel etapil kollektori vool ja kollektor-emitteri vaheline pinge UCE on võrdne toitepingega (UCC). IGBT-transistori avanemisprotsess algab kohe, kui UGE ületab pinget UGE(th) (ajavahemik t1). Kollektori vool IC hakkab kasvama ning saavutab koormusvoolu väärtuse IC(load), mis on võimalik ainult ideaalse vabavooludioodi korral. Reaalse vabavooludioodi puhul ületab  103 UGE Miller'i tasand UGE(on) UGE(pl) UGE(th)