Teatud temperatuurini püsivad kõik valentselektronid oma radadel- vabu elektrone pole. Temperatuuri tõustes ei suuda elektronid oma trajektooril püsida ja saavad vabadeks elektronideks, elektri juhtideks. 18. Pooljuhi omajuhtivus- puhta pooljuhi elektrijuhtivus. Puhtas pooljuhis puuduvad normaaltingimustel vabad elektronid. 19. Lisandjuhtivus- võõraste aatomite poolt põhjustatud elektrijuhtivus. 20. 1)Doonorlisandil jääb elektrone üle(elektronjuhtimine, n-tüüpi pooljuht) 2)Akseptorlisandid on lisandid, milles sidemete moodustamisel naaberaatomitega jääb elektrone puudu. läheb edasi:20.2)sidemesse, kuhu elektroni ei jätku, tekib auk, mille laengut loetakse positiivseks. Pooljuhti, milles põhilisteks laengukandjateks on ''augu'' nimetatakse p- tüüpi pooljuhiks. / Põhilisteks laengukandjateks mõlemat tüüpi pooljuhis on need, mida on rohkem. P-tüüpi pooljuhis on peale aukude vähesel määral vabu elektrone ja
oksüdeeru) ja plaatina. Juhi eritakistus Sõltub aine ehitusest ja temperatuurist. ρ= ρ0 ( 1+αT ) ,ρ-eritakistus ρ0 temperatuuuril T [1Ω*m], -eritakistus temp T=0ᵒC , α- võrdetegur. Elektrivool pooljuhtides Materjalid, mis tavaolukorras elektrit ei juhi, kuid soojenedes ja aatomitele energiat juurde andes juhivad. Elektrivoolu kandjateks pooljuhis on elektronid ja augud. Doonorlisandid- annavad hea meelega elektrone ära, akseptorlisandid- võtavad elektrine juurde. Doonor+akseptor = pn-siire. Pn-siirde tagajärjel tekib AUKJUHTIVUS. Elektrivool vesilahustes −¿ +¿ Cl¿ Vesi, kuhu on lisatud elektolüüdid. Kõige tuntum . Kui elektron Na¿ antakse ära, siis NaCl laguneb. Kloor läheb +ile ja Naatrium – ele. Elektrivool gaasides
Seejärel minnakse üle tööreziimile, milleks avatakse üks kraanidest. Kuivhapnik, märghapnik või veeaur. Ränioksiidi kihi paksus on tavaliselt 0,5-1um. Difusioon on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni. Epitaksia on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi.
Pooljuhti, kus enamuslaengukandjad on negatiivse laenguga (elektronid), nimetatakse n- pooljuhiks. Kui räni kristallvõres asendada üks räni aatom kolmevalentse aine (alumiiniumi, boori, galliumi v. indiumi) aatomiga, siis jääb üks kovalentside puudulikuks (jääb auk), mille võib täita mõni vaba elektron, mille läbi lisandaine aatom muutub negatiivseks iooniks. Lisandaineid, mis kristallvõres hõivavad elektrone, nimetatakse akseptorlisanditeks. Akseptorlisandid annavad pooljuhile p-juhtivuse. Pooljuhti, milles enamus- laengukandjad on positiivse laenguga (augud), nimetatakse p-pooljuhiks. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 3 Vabade laengukandjate tihedus e. kontsentratsioon (nn: elektronid n-pooljuhis; pp augud p-pooljuhis) on määratud lisandaine aatomite tihedusega. Mistahes pooljuhtmaterjalis on elektronide ja aukude hulk määratud kahe paralleelselt
räniplaatide kokkupuudet õhuga ja võimalikku saastumist. Seejärel minnakse üle tööreziimile, milleks avatakse üks kraanidest. Kuivhapnik, märghapnik või veeaur. Difusioon on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni. Epitaksia on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi.
annaabi.ee 
