Elektriajamite elektroonsed susteemid
Teisest küljest võib MOSFET-transistori neelu-lätte takistus avatud olekus RDS(on) ja
IGBT-transistori kollektor-emitteri küllastuspinge UCE max väheneda, kui paisupinge suureneb,
ning seetõttu soovitatakse rakendada avatud olekus positiivset juhtpinget, mis IGBT-
transistoridel on UGE = +15 V ja MOSFET-transistoridel UGS = +10 V.
Enamus IGBT-ja MOSFET-transistoride parameetreid põhinevad eelnevatel pinge väärtustel.
Alljärgnevas tabelis on näitena toodud IGBT-transistori SKM 50GB063D tehniliste andmete
lehel näidatud põhiparameetrid.
Tähis Nimetus Katse parameetrid Tüüpilised väärtused
CISS Sisendmahtuvus 2,8 nF
COSS Väljundmahtuvus UCE = 25 V, UGE = 0 V, f =1 MHz 0,3 nF
CRSS Mahtuvus vastupingel 0,2 nF
annaabi.ee 
