fossiilkütuste kivisöe- ja pruunsöetuhast, milles germaaniumisisaldus on ühe tonni tuha kohta kuni 2%. Toore rikastatakse ja kontsenteeritakse (palju meetodeid ja etappe). Saadakse GeCl4, mida puhastatakse ülihoolikalt ning hüdrolüüsitakse ülipuhta veega, saadakse GeO2. Viimane kuivatatakse ja redutseeritakse vesinikuga (600-700kraadi): GeO2 + 2H2 = Ge + 2H2O Ge sulatatakse 1000 kraadi 1050 kraadi juures, puhastatakse tsoonsulatuse või suundkristallisatsiooniga. Saadakse ülipuhas Ge. 3 FÜÜSIKALISED OMADUSED · hõbedane või mustjashõbedane · metalse läikega · üsna habras, rabe (kergesti killunev) · ei saa olla kuuma ja külma töörõhk kuni 550 ° C · laseb läbi infrapunakiirgust · üsna vastupidav veele, õhule · pooljuht ehk ta elektrijuhtivus on halvem kui elektrijuhil ja parem kui dielektrikul
räni tehnoloogias kvartsklaas SiO2. Grafiiti ei saa aga kasutada, kuna süsinik reageerib räniga. Pooljuhtpuhtusega räni saamise tehnoloogia peamised etapid: - tehnilise Si üleviimine kloriidiks Si + 4 HCl = SiCl4 + 2 H2 (300 400 OC); - SiCl4 destillatsioon, ekstraktsioon ja rektifikatsioon; - SiCl4 taandamine vesinikuga SiCl4 + 2 H2 = Si + 4 HCl (1000 OC); - Si lõplik puhastamine vertikaalse (tiiglivaba) tsoonsulatuse meetodil vaakuumis; - legeeritud monokristallide kasvatamine sulandist tõmbamise (Czochralski) meetodil. Räni puhastamist tsoonsulatuse meetodil ja legeeritud monokristallide kasvatamist vaatleme hiljem materjalide valmistamise peatükis. Ränil on äärmiselt head omadused, mistõttu valmistatakse temast kõikvõimalikke seadiseid ja mikroskeeme. Ainuke puudus laengukandjate rekombinatsioon on mittekiirguslik,
sadestamist tanniini või/ja H2SO4 lahusega jm. *kontsentreerimine on paljuetapiline, keeruline, kallis Lõppetappidel saadakse GeCl4, mida puhastatakse ülihoolikalt (rektifikatsioon kvartskolonnides, ekstraktsioon, suund-kristallimine jt.) ja hüdrolüüsitakse ülipuhta veega, → GeO2, kuivatatakse (sageli kõrgsagedusväljas) ja redutseeritakse H2-ga (600-700ºC) → Ge Ge sulatatakse 1000-1050ºC juures, puhastatakse tsoonsulatuse või suundkristallisatsiooniga Kasvatatakse monokristallid saadud ülipuhtast Ge-st (kuni 1 võõraatom 109 Ge-aat. kohta), kasvatamise käigus legeeritakse täpse koguse vajalike lisanditega (Sb, Ga, As, Si jt., 10-3 … 10-4%) Metallina kasutatakse peam. pooljuhttehnikas väga oluline pooljuhtmaterjal DIOODID TRANSISTORID (I Ge-transistor loodi 1948) siiski ilmneb tendents Ge osal. väljatõrjumiseks Si poolt
annaabi.ee 
