paisuna. Kui rakendada n-kanaliga transistori paisule näiteks negatiivne pinge siis tõukab selle tekitatud elektriväli laengukandjaid - elektrone - kanalist välja seda enam, mida negatiivsem on paisule rakendatud pinge. Vastavalt laengukandjate vähenemisele nõrgeneb kanalit neelu ja lätte vahele rakendatava pinge mõjul ka läbiv vool. Niisuguses reziimis töötavat transistorit nimetatakse laengukandjavaeses e. vaesestusreziimis (inglise depletion-mode-transistor) töötavaks transistoriks. 14. Mida nimetatakse p-juhtivuseks?lk 91 Kui aukude kontsentratsioon on suurem kui vabade elektronide kontsentratsioon. Selle tekitab lisand mitte elektroni lahkumine. Näit kolmevalentse galliumi või iriidiumi lisamine ränisse. Augud on enamusvoolukandjad. Auk on samaväärne positiivse laenguga. Augu laeng on võrdne elektroni laenguga.(lk 88) 15. Mis on pn-siire?lk 92 p-juhtivusega pooljuhi ja n-juhtivusega pooljuhi piirkihti nim p-n-siirdeks. Näit
seepärast kasutatakse tähistamist värvikoodiga. Dioodide värvikoodid võib leida käsiraamatust L1. Dioodidel kasutatakse standardiseeritud korpusi, nende tähised kujud ja mõõdud on toodud joonisel 5.6. ELEKTROONIKA KOMPONENDID lk. 33 6. TRANSISTORID Bipolar Junction Transistor(BJT) 6.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. See on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. on
reguleerimisel muutub nii ,et väljundpinge keskväärtus jääb muutumatuks. Taolise stabilisaatori väljundis peab aga olema silufilter, mis silub impulsspinget. Kuna 38 reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 39 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa
Taolise stabilisaatori väljundis peab aga olema silufilter, mis silub impulsspinget. Kuna reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 27 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa.