Transistorid
Väljatranside ja bipolaartranside head omadused on kokku võetud nn IGBT (injected gate
bipolar transistor) transides.
Nad on juhitavad kui väljatransid (hea: suur sisendtakistus), koormuse poolelt aga
käituvad kui bipolaartransid. Rakendatakse
ntx. fotoaparaatides välgu lülitamise juures.
Kõik bipolaartransid on kas NPN või PNP tüüpi.
Skeemitingmärgil on NPN transi emitteri nool transist väljapoole, PNP puhul aga
vastupidi. Tehnoloogilstel põhjustel on NPN transid rohkem
levinud (eriti mikroskeemide sees).
Tüüp PNP või NPN määrab, mis pidi peavad pinged transistorile minema.
NPN transistor tahab emmitterile miinust ja kollektorile plussi. Transi sulgemiseks (et e-
>k voolu ei liiguks) peab baasile andma kas
sama pinge mis emmitterile või sellest veidi negatiivsema. Avamiseks tuleb baasile anda
emmitterist positiivsem pinge.
PNP transi puhul on kõik täpselt vastupidi.