Selline võimendusaste on ,,faasipööraja". Signaali arvutus aseskeemi alusel: Pingevõimendustegur: Uvälj SUsis (ri MM Rn) KU = = = S (ri MMRn ) Usis Usis Sisendtakistus Rsis = R1Rp Väljundtakistus Rvälj = Rnri Rn 75 Ühisneeluga võimendusaste . R1, Rp, Rl transistori tööreziimi seadmiseks (eelmise skeemiga analoogselt). Kõrge sisendtakistus; Vähendatud sisendmahtuvus. SRl KU 1 1 + SRl Faasipööramist ei toimu! 76 5.4. Tagasiside võimendites Tagasiside võimendis selline side, mis annab üle osa kasuliku signaali energiast võimendi väljundist selle sisendile. Positiivne TS (PTS) tõstab võimendustegurit. Negatiivne TS (NTS) vähendab võimendustegurit. 1. Tagasiside pinge järgi:
ühendatud); UGSmax - suurim lubatav paisuja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupingeolukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus e. mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 7.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO2 kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga. Seega on väljatransistore kuut erinevat liiki. 7.3.1
ühendatud); U - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; GSmax I - suurim lubatav neeluvool; Dmax I - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras GF esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: C - sisendmahtuvus ja GS C - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. GD 64 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad 2 MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas N- või P-kanaliga. Seega on
UGSmax - suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge; IDmax - suurim lubatav neeluvool; IGF - suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras. Tavalises, s.o. vastupinge-olukorras esinev paisuvool ei ületa mõnda pikoamprit. Samas suurusjärgus on ka suletud kanali vool, mis võib samuti olla andmetes antud. Sagedus- ehk dünaamilisteks parameetriteks, mille alusel saab määrata antud transistori võimenduse piirsagedusi, on kaks mahtuvust: CGS - sisendmahtuvus ja CGD - läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel. 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO2 kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist jagunevad MOSFET transistorid formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas N- või P-kanaliga. Seega on väljatransistore kuus erinevat liiki. 5.3.1
IGBT-transistori juhtimine jadatakistitega. Paisupingegeneraatoriga ahelat kasutatakse tavaliselt kahte tüüpi MOSFET-transistoride (n-kanaliga ja p-kanaliga) juhtimiseks (joonis 3.12, a). Mõlemaid MOSFET-transistori paise juhitakse sama signaaliga. Kui signaal on tugev, avaneb n-kanaliga MOSFET ning, kui signaal on nõrk, siis avaneb p-kanaliga MOSFET. Nagu eelpool märgitud, saab iga IGBT-transistori lülitusomadusi sättida jadatakistiga RG. Kuna IGBT-transistori sisendmahtuvus muutub ja laadub ning tühjeneb lülitamise vältel peab paisutakisti määrama laadumis-ja tühjenemisajad vooluimpulsi (IG) piiramisega transistori avamisel (joonis 3.12, b) ning sulgemisel (joonis 3.12, c). Joonisel 3.12, a näidatud paisupingegeneraatoril on sümmeetrilise juhtimise tarbeks kaks väljundit. Paisutakistid jaotatakse kaheks: avamistakistiks RG(on) ja sulgemistakistiks RG(off). Selliselt piiratakse vältimatu vool allikast UGG+ allikasse UGG- MOSFET-transistori juhtlülituses
annaabi.ee 
