Kui on teada VL, VS ja üks takistustest RS või RL, siis on ülaltoodud avaldist teisendades võimalik puuduva takistuse väärtus välja arvutada. æ VL ö æV ö RL = RS çç ÷÷ ; RS = çç S - 1÷÷ è VS - VL ø è VL ø b) Signaaliallika väljundtakistus Signaaliallika sisetakistuse mõõtmiseks tuleb signaaliallika väljundile ühendada koormustakistus RL. Viimase mõõtmise läbiviimiseks sobiv väärtus on niisugune, mille puhul VL ei ole suurem kui 90% ega väiksem kui 50% VS väärtusest. Kui õnnestub valida selline RL, mille puhul VL = 0,5 VS , siis ei ole rohkem mõõtmisi ega arvutusi vaja, sest sellisel juhul RL= RS. Taoline lähenemisviis sobib nii alalis- kui vahelduvvoolu allikate puhul kuni
-väljatransistorid. Mõlemat liiki saab kasutusala,valmistamistehnoloogia jms järgi jagada nõrkemiseni. Näiteks on olemas madalsagedustransistorid ja kõrgsagedustransistorid, võimsustransid jne. Bipolaartranse juhitakse VOOLUGA, väljatranse aga PINGEGA. Siit tuleb suur erinevus kasutamise seisukohast - nõrka (vähe koormust kannatav allikas, mitte väikese pingega!), ntx. manetofoni või grammofoni helipea signaali on sellise transiga paha võimendada sest ta koormab signaaliallika ära. Väljatransistori puhul seda ohtu ei ole. Bipolaartransil on tavaliselt 3 otsa: - baas ehk juhtelektrood, - emmitter, - kollektor. On ka eritransistore, milledel mõni jalg puudub (ma mõtlen ikka terveid eksemlare ;) või on mõni mitmekordselt. Ntx. nn ühesiirdetransid, milledel on 2 baasi ja kollektor puudub. Väljatranside ja bipolaartranside head omadused on kokku võetud nn IGBT (injected gate bipolar transistor) transides.
Joonis 2. Mudeli skeem pingejaguriga. Takistid Rb1 ja Rb2 tagavad baasile emitterpingest kõrgema pinge transistori aktiivreziimi tagamiseks. Takistiga Re pannakse paika emitteri pinge maa suhtes. Re põhjustab aga tugevat vahelduvvoolu tagasisidet, mis vähendab võimendust. Et võimenduskadusid vältida ühendatakse sellega rööbiti sildav Ce. Väljundisse alaliskomponendi mitte jõudmiseks kasutatakse sidestuskondensaatorit Ck. Sisendisse on ühendatud pingejagur sõltuvalt signaaliallika omadustest. Sisendisse antakse vahelduvsignaal, mida tüüritakse baasivooluga. Õigesti valitud skeemielementide puhul saame väljundisse võimendatud signaali. Põhimõte on, et madalama sisendpingega tüürida teiste siirete takistusi ja saada sellega suurem väljundsignaali pinge. 4. Mõõdetud pingevõimendustegur ku, sisend- ja väljundtakistused Rsis, Rv ja võimsusvõimendustegur kp . Arvutan võimendi pingevõimendusteguri: Uv := 96.59mV Usis := 20mV Uv ku :=
Pn = 50W, Kh = 0,5%, Pmax = 60W, Kh = 10, Pm = 70W. Stabiliseeritud toitepinge korral on nimivõimsus ja muusikavõimsus võrdsed. Mittelineaarmoonutus ehk ebalineaarmoonutus Ebalineaarmoonutusi iseloomustatakse harmooniliste teguriga (Kh). Transistorvõimendite Kh ei ületa keskmistel sagedustel 1%. Teatud lülitustehniliste võtetega on saavutatav palju parem tulemus, kus Kh = 0,01%. Talitussagedusala alumise ja ülemise piiri alas harmooniliste tegur teataval määral suureneb. Signaaliallika ja võimendi baasi karakteristikud ei ole alati täpselt teada ja seetõttu loetakse, et nende harmooniliste tegurid liituvad geomeetriliselt. Kui näiteks võimendisse, mille Kh1 = 1% anda signaal magnetofonist, mille Kh2 = 2%, siis võimendi väljundsignaali Kh = ruutjuur (Kh1 ruudus + Kh2 ruudus). Sagedustunnusjoon Määrab alumise ja ülemise piirsageduse, millel sagedusmoonutus jääb etteantud piiridesse.
..1000 W Väljundpinge faasinurk 0° sisendpinge suhtes Pikkov lk 66 R1 ja R2 määravad transistori baasi eelpinge ning selle kaudu emitteripinge, baasi-, emitteri- ja kollektorivoolud e. kokkuvõttes transistori tööreziimi. Samal ajal on need takistid rööbiti transistori sisendtakistusega, viimast vähendades. Võimendusaste on signaaliallika ja koormusega sidestatud sidestus- kondensaatorite kaudu. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 11 6.2.3 ÜB-lülituses transistor ÜB- (ühise baasiga) lülitust iseloomustavad madal sisendtakistus ja suur väljundtakistus, väike vooluvõimendus (<1) ja suur pingevõimendus. Sisendsignaal antakse transistori baasile ja väljundsignaal võetakse transistori kollektorilt. Transistori baas peab
sis 2 E Joon.1.45 Täpsemalt, tema välundpinge on 0,6 V võrra sisendpingest väiksem (emittersiirde pingelangu võrra), Rsis = h11e +h21e RE ja Rvälj = h11e + Ri / h21e, kus Ri on signaaliallika sisetakistus. Tänu oma omadustele, kasutatakse emitterjärgurit sobitusastmena, suure väljundtakistusega võimendusastme ja väikese koormustakistuse või väikese sisendtakistusega võimendusastme vahel. Sisendtakistuse reaalsks väärtuseks väikesevõimsuslistel transistoridel on kuni 100 k ja väljundtakistuseks 30...100 sõltuvalt lülituselementide parameetritest. Tööpunkti fikseerimiseks onlihtsaim ja sobivaim kasutada baasi pinge fikseerimise lülitust
koosneda mitte ainult üksikutest elementidest, vaid ka keerukatest lineaarsetest või mittelineaarsetest lülitustest. Pinge võimendi inverteerival sisendil läheneb nullile, sest - lim vv vd = =0 Kd -> &inf; Kd Seetõttu võib inverteerivat sisendit vaadelda näiva nullklemmina. Takistust R1 läbiv vool i1 = vs/ R1 ei sõltu takistusest R2, kuigi läbib seda. Inverteeriva lülituse sisendtakistus on Rs = vs/ i1 = R1. Puudused: 1) tarbib märgatavalt signaaliallika voolu, 2) väljundsignaal vastasfaasis sisendsignaaliga. [vaata | 18. Summeeriv OV. muuda] Lülituse skeem. Sisendvoolude sõltuvus sisendpingetest. Voolude liitumine, tagasisideahela vool. Väljundpinge seos sisendpingetega (tuletuskäik). Sisendvoolude sõltuvus sisendpingest.
sellise signaali ulekanne ja andmemaht. peale enda omade. Mida laiem on edastatava signaali ribalaius ,seda COFDM ehk kodeeritud OFDM puhul lisatakse kulukam ja mahukam on seda signaali üle kanda. veel lisaks ennetav Teenuse kvaliteet: veaparandus. Nagu pildil naha ,siis teenuse kvaliteet soltub OFDM modulatsiooni kasutatakse eelkoige paljudest teguritest. Alates siis signaaliallika - andmeedastus kiiruse (susteem) ja lopetades teenuse loppseadme suurendamiseks (bit rate). kvaliteediga. Signaal jaotatakse osadeks ,ning edastatakse eri Pohimotteliselt tahendab see seda ,et ei ole motet. sagedustel Digitaal-ja analoogsignaali edastus eri signaali osad ,seetottu kasvab bit-rate. Digitaalsignaali eeliseks on tema binaarsus ,ehk OFDM võimaldab tänu digitaalside võimalustele
rp kaod rauas (kadudest südamikus) RP kaod dielektrikus (suur takistus, ideaalis Rp ) Trafo. 20 n ülekandetegur, n = W2/W1, U2 = n·U1 Toitetrafod vajalike pingete saamiseks võrgupingest ning seejuures ka elektrivõrgu ja toidetava seadme vahelise galvaanilise (vahetu elektrilise) sidestuse katkestamiseks; Sobitustrafod signaaliallika väljundtakistuse sobitamiseks võimendusastme sisendtakistusega (sisendtrafod), võimendusastmete sidestamiseks (sidestustrafod) ja võimendi väljundtakistuse sobitamiseks koormuse takistusega (väljundtrafod); Impulsstrafod lühikeste impusside muundamiseks ja kujundamiseks; Autotrafod kui pinget on vaja transformeerida väikeses ulatuses ja sekundaarahel ei pea olema primaarsest galvaaniliselt eraldatud. Tunnussuurused: Toitetrafol primaarpinge U1, sekundaarpinged U2.1, U2.2...,
6.5.6. Siirete mahtuvused. Kollektorsiirde mahtuvus Cc on baasi ja kollektori vaheline mahtuvus, kui emitterahel on katkestatud ja kollektorsiirdel on vastupinge. Emittersiirde mahtuvus C E on emitteri ja baasi vaheline mahtuvus, kui kollektorahel on katkestatud ja emittersiirdel on väike vastupinge. 6.5.7. Mürategur. Mürategur F on transistori väljundahelas ilmneva müra koguvõimsuse suhe (dB) nimetatud võimsuse sellesse ossa, mida põhjustab signaaliallika soojusmüra. 6.6. Transistoride parameetrite määramine Vajadus konkreetseks parameetrite määramiseks võib praktikas tekkida kahel juhul - 1) kui ei õnnestu käsiraamatutest leida arvutusteks vajalikke parameetreid või 2) kui kasutatakse transistoril sellist reziimi, mis erineb oluliselt tüüpilisest, nii, et käsiraamatu parameetrid osutuvad reaalsetest oluliselt erinevateks. Sellisel juhul tuleb leida parameetrid tunnusjoontelt, arvestades tegelikku tööpunkti (tööreziimi).
u R2 +E E RE CS Usis VT R1 Uvälj JOONIS 7.26. Täpsemalt, tema väljundpinge on 0,6 V võrra sisendpingest väiksem (emittersiirde pingelangu võrra), R = h +h R ja sis 11e 21e E R =h +R/h välj 11e i 21e, kus R on signaaliallika sisetakistus. i Tänu oma omadustele, kasutatakse emitterjärgurit sobitusastmena, suure väljundtakistusega võimendusastme ja väikese koormustakistuse või väikese sisendtakistusega võimendusastme vahel. Sisendtakistuse reaalseks väärtuseks väikesevõimsuslistel transistoridel on kuni 100 k ja väljundtakistuseks 30...100 sõltuvalt lülituselementide parameetritest. Tööpunkti fikseerimiseks on lihtsaim ja sobivaim kasutada baasi pinge fikseerimise lülitust
2 E JOONIS 7.26. Täpsemalt, tema väljundpinge on 0,6 V võrra sisendpingest väiksem (emittersiirde pingelangu võrra), Rsis = h11e +h21e RE ja Rvälj = h11e + Ri / h21e, kus Ri on signaaliallika sisetakistus. Tänu oma omadustele, kasutatakse emitterjärgurit sobitusastmena, suure väljundtakistusega võimendusastme ja väikese koormustakistuse või väikese sisendtakistusega võimendusastme vahel. Sisendtakistuse reaalseks väärtuseks väikesevõimsuslistel transistoridel on kuni 100 k ja väljundtakistuseks 30...100 sõltuvalt lülituselementide parameetritest. Tööpunkti fikseerimiseks on lihtsaim ja sobivaim kasutada baasi pinge fikseerimise lülitust. Enamasti
annaabi.ee 
