· Võimendi töösagedus f=60 kHz · Emitteri pinge maa suhtes UE0= 1 V · Kollektorvool =1 mA · Koormustakistus Rk=510 · Signaali sisetakistus Rsig=120 · Emitter takistus k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Emittertakistiga sildav kondensaator F · Sisendkondensaatori mahtuvus F · Sidestuskondensaatori mahtuvus F · Võnkeringi mahtuvus C=33 nF · Võnkeringi induktiivsus L=250 µH Reaalselt kasutasime järgnevaid väärtusi · CB=10 nF · CK=10 nF · CE= 4,7 F · RB1= 150 k · RB2= 36 k · RE=1 k 2. Mudeli amplituud-sageduskarakteristik Joonis 2. Amplituud-sageduskarakteristik 3. Määrasime võimendi resonantssageduse f0, selleks muutsime sisendsignaali sagedust
valikuga, siis saame alumist sageduspiiri mõjutada ainult sidekondensaatori valikuga. Võimendi ülemise sageduspiiri määravad kasutatava transistori sagedusomadused (täpsemalt f ja fT). Kuna vaadeldud RC ahela takistused on küllaltki väikesed (k-des), siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. Kasutades väljatransistore (joon.1.27), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka valik sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem +E RD CS2 C S1 Uvälj
F=1+BK (jp, rp, jv, rv tähendavad vastavalt jadapinge-, rööppinge-, jadavoolu- ja rööpvooluvastusidet) [3]. Harilikult peab võimenditel olema suur sisend- ja väike väljundtakistus, mida aitab kõige paremini saavutada jadapingevastuside. 7. Vastusidestatud võimendi töötab üldjuhul stabiilselt, sest vastuside vähendab ja stabiliseerib võimendust. Kuid signaaliahelas olevad reaktiivtakistused põhjustavad faasinihkeid, mis kasvavad sagedusala äärte poole. Näiteks sidestuskondensaatori reaktiivtakistus kasvab sageduse alanemisel ja võimnduselemendi sisendi ning väljundiga rööbitiste parasiitmahtuvuste takistus väheneb sageduste tõustes, muutudes võrreldavaiks ahela aktiivtakistustega. Mitmeastmelises võimendis faasinihked liituvad ja nende summa võib vastusidesilmuses ulatuda 180°-ni. Seetõttu tagasiside, mis võimendatava sagedusala keskel on negatiivne, võib selle piiridel osutuda positiivseks, sest
määral sagedusmoonutusi mis on tingitud pingelangust sidestuskondensaatoril mõjutab sagedus piiri ka astme sisend takistus ehk teisiti öeldes kui sagedus piir on ette antud siis peab olema takist R ja sidestus kondensaatori mahtuvuse suhe kindle. See tähendab kui astme sisend takistus on väike tuleb kasutada suurema mahtuvusega sidestukondensaatorit mille mahtuvus takistus on väiksem. Reaalselt helisagedusvõimendites võimendus astme sisend takistus 1-5koomi. Ja sobivaks sidestuskondensaatori mahtuvuseks 10-100uF. Kui aga kasutada väljatransistore kus astme sisend taksistus on ühe megaoomi ringis see on tuhat korda suurem siis võib sidestuskondensaator olla tuhat korda väiksem 0,001uF-1uF. 2.4. Otseses sidestuses võimendi Joonis 2.4.1 Otseses sidestusesvõimendis on esimese astme väljund ühendatud järgmise astme sisendiga, otse ilma sidestus elemente kasutamata (puudub sidestus kondensaator)
(täpsemalt f ja f ). Kuna vaadeldud RC ahela takistused on küllaltki väikesed (k-des), T siis on kasutatavate sidekondensaatorite mahtuvused suhteliselt suured. +E E RS CS CS1 RD RG CS2 Usis Uvälj JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile ,võib see minna küllastusse ja võimendi lakkab võimendamast. Kui aga
Usis R S G E JOONIS 7.10. Kasutades väljatransistore (joon.7.10), mida sageli tehakse sisendastmetes, on astma sisendtakistus tuhandeid kordi suurem ja sellest tulenevalt on seal ka sidestuskondensaatori mahtuvus vastavalt tuhandeid kordi väiksem 7.3.2.Otsene sidestus Otsese sidestuse korral (joon.7.11) on sidestusahel ära jäetud ja ühendatud eelmise astme kollektor vahetult järgmise astme baasiga. Sellise ühendamise korral on oht, et kui eelmise astme kollektorpinge on küllalt kõrge, siis tema toimel järgmise astme transistori baasile ,võib see minna küllastusse ja võimendi lakkab võimendamast. Kui aga eelmise astme kollektor pinge on sobivalt
annaabi.ee 
