Skeemil B oleva vastastakt lülituse puhul on vaja kahte võrdset kuid vastandpolaarsusega toiteallika pinget. Vastastakt astet on võimalik toita ka ühest toiteallikast, seljuhul jääb transistoride emitterite ühenduspunkti pool toitepingest. Eralduskondensaatori mahtuvus (mikrofaradites) tingimusel, et võimsus koormustakistil Rk ei väheneks madalam piirsagedusel Fa rohkem kui 1 dB. Ce peab olema suurem või võrdne 10 astmel 6 / x Fa x Rk. Elektrolüütkondensaatori kasutamisel sidestuselemendina tuleb arvestada järgmisi iseärasusi: · Elektrolüütkondensaatorit läbiv lekkevool normaalse polaarsuse korral on tühine, kuid vastupidisel polaarsusel on lekkevool suur, seetõttu on tal teatav ventiili toime (nagu dioodil), mistõttu teda läbivale siinusvoolule lisanduvad põhisagedusele harmoonilised sagedused · Lisaks sellele elektrolüütkondensaatoritel kasvab energiakadu sagedustel üle 2...3 KHz järsult
E Joon.1.29 Sellises lülituses on võimalik kasutada esimeses astmes madalat lähtetööpunkti, kuna tööpunkti määravaks pingeks ei ole mitte kollektori ja emitteri vaheline pinge, vaid kollektortakisti pingelang, milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.1.30), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. +E
7.12.). RE1 CE1 R1 RC1 +E E RE3 CE3 RC3 CS1 Usis VT3 89 VT1 CS2 R2 URC2= UBE3 Uvälj RC2 CE2 RE2 VT2 URC1= UBE2 JOONIS 7.12. Sellises lülituses on võimalik kasutada esimeses astmes madalat lähtetööpunkti, kuna tööpunkti määravaks pingeks ei ole mitte kollektori ja emitteri vaheline pinge, vaid kollektortakisti pingelang, milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.7.13), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. RE1 CE1 R1 RC1 +E E RE2 CE2 RC2 CS Usis VT2 VT1 R2 Uvälj 90 JOONIS 7.13.
E JOONIS 7.12. Sellises lülituses on võimalik kasutada esimeses astmes madalat lähtetööpunkti, kuna tööpunkti määravaks pingeks ei ole mitte kollektori ja emitteri vaheline pinge, vaid kollektortakisti pingelang, milline on madala tööpunkti puhul väike. Teiseks võimaluseks on kasutada sidestuselemendina ränidioode (joon.7.13), mille tunnusjoone pärisuuna kujust tulenevalt, on dioodi alalispingelang tunduvalt suurem kui vahelduvpingelang ja lülitades kollektori ja baasi vahele 2 ränidioodi on nende alalispingelang 1,3...1,4 Volti, vahelduvpingelang aga ainult mõni kümnendik volti. Eriti laialt on see võte levinud mikroelektroonikas. +E
annaabi.ee 
