hävib.Kasutusalad- toiteplokkides, kus nad muudavad vahelduvvoolu (AC) alalisvooluks (DC). Selleks on vaja nelja dioodi või dioodsilda (mis koosneb neljast dioodist), trafot ja kondekaid. Dioode kasutades tuleks vaadata ka seda kas dioodid antud pinget ja voolu ka kannatavad. Sellega hoiate ära dioodi ja võibolla ka muude komponentide riknemise. Valgusdioodid-indikaatoreina elektroonikaseadmeis, tekstide või numbrite kuvamiseks. Pingestamata p-n siire Kui ühes pooljuhtkristallis tekitada kaks erineva juhtivusega osa, üks elektronjuhtivusega ja teine aukjuhtivusega, siis nende erinevate juhtivustega osadeüleminekupiirkonda nimetatakse p-n-siirdeks. Selline olukord saadakse pooljuhtkristalli erinevate lisandite sisseviimise teel. Sellises kristallis on n-osas külluses elektrone ja p-osas külluses auke. Difusiooni toimel hakkab taolises olukorras toimuma laengukandjate vahetus. Tekkinud elektriväli on aga suunatud laengukandjate liikumusele vastu ja
ja pinnal. Planaarmenetlusel valmistatud integraallülitust nimetatakse monoliitintegraallülitusteks. Selliste integraallülituste juures pole võimalik optimeerida ühe skeemielemendi parameetreid, muutmata sama ajal teiste elementide karakteristikuid. Valmistatakse ka hübriidintegraallülitusi. Hübriidintegraallülituses kasutatakse kiledest passiivelemente ja eraldi pooljuhtkristallis valmistatud aktiivelemente. Selline tehnoloogia võimaldab saada täpsemaid parameetreid, neil on avaram sagedusala. Need vajavad kõrgemat toitepinget,
mahtuvusega kondensaatoriteks), mis on funktsionaalsed seadised. Suure vastupinge rakendamisel p-n siirdele toimub siirdel läbilöök, mille tulemusel vastuvool kasvab kiiresti ja jääb praktiliselt konstantseks (joonis 2.18). Seda efekti kasutatakse voolu stabiliseerimiseks ja seadiseid nimetatakse stabilotronideks. Seadiseid, mis sisaldavad kaht p-n siiret, nimetatakse transistorideks. Neid kasutatakse signaali võimendamiseks. Mikroskeemid sisaldavad samas pooljuhtkristallis või kilelises struktuuris väga palju p-n siirdeid erinevas kombinatsioonis ja ka teisi skeemielemente (takisteid, kondensaatoreid, induktiivsusi, juhte ja kontakte). Kasutatakse ka nn heterosiirdeid, kus n ja p ala on valmistatud erinevatest materjalidest erineva keelutsooni laiusega. Heterosiirdeid kasutatakse kiirgusega seotud seadistes (valgusdioodid, pooljuhtlaserid, päikeseelemendid jne), kus on tihti vajalik, et üks siirde pool laseb läbi siirdealal eralduvat või neelduvat kiirgust
Võime julgesti öelda , et ilma pooljuhtseadisteta ei oleks praegust infoühiskonda. Samal ajal tuleb meeles pidada , et pooljuhttehnika on poole sajandi jooksul läbinud juba mitu arenguetappi. On olnud germaaniumi ajastu, kus enamik pooljuhtseadiseid valmistati germaaniumist , järgnes räniajastu , mis jätkub senini ja mille raames algas massiline integraallülituste tootmine ja kasutamine. Praeguseks on alanud nanotehnoloogia ajastu , kus elementide mõõtmed pooljuhtkristallis lähenevad nanomeetrile 1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides Pooljuhtideks nimetatakse suurt hulka aineid, mille elektrijuhtivus on elektrijuhtide ja isolaatorite vahepeal. Elektrijuhtide mahueritakistus on vahemikus 10 ...10 cm , -4 6 isolaatoritel 10 ...10 cm. ja pooljuhtidele jääb küllalt suur vahemik 10... 10
igapäevasena. Võime julgesti öelda , et ilma pooljuhtseadisteta ei oleks praegust infoühiskonda. Samal ajal tuleb meeles pidada , et pooljuhttehnika on poole sajandi jooksul läbinud juba mitu arenguetappi. On olnud germaaniumi ajastu, kus enamik pooljuhtseadiseid valmistati germaaniumist , järgnes räniajastu , mis jätkub senini ja mille raames algas massiline integraallülituste tootmine ja kasutamine. Praeguseks on alanud nanotehnoloogia ajastu , kus elementide mõõtmed pooljuhtkristallis lähenevad nanomeetrile 1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides Pooljuhtideks nimetatakse suurt hulka aineid, mille elektrijuhtivus on elektrijuhtide ja isolaatorite vahepeal. Elektrijuhtide mahueritakistus on vahemikus 10 -4 ...10 6 cm , isolaatoritel 10 10...10 18 cm. ja pooljuhtidele jääb küllalt suur vahemik 10... 10 1 cm. Tuntumad pooljuhid on germaanium , räni , galliumarseniid jt . Tänapäeval kasutatakse kõige enam räni.
i-pooljuht) lisandeid vaid üks aatom tuhande miljoni põhiaatbmi kohta (1/109). Samuti on piiratud ainesse viidavate lisandite hulk, et säiliks põhiaine struktuur. Lisandite lubatav kontsentratsioon on üks aatom kümne miljoni põhiaatomi kohta (1/107). Seega võime öelda, et pooljuhtseadiste valmistamise keerukas tehnoloogia algab eriti puhaste ainete saamisest. 4.3. p-n-siire ja tema alaldav toime The p-n Junction Kui ühes pooljuhtkristallis tekitada kaks erineva juhtivusega osa, üks elektronjuhtivusega ja teine aukjuhtivusega, siis nende erinevate juhtivustega osade üleminekupiirkonda nimetatakse p-n-siirdeks. p-n-siirdes tekkivad nähtused ja tema omadused on enamiku pooljuhtseadiste töö aluseks. Praktiliselt saadakse selline olukord pooljuhtkristalli erinevate lisandite sisseviimise teel. Sellises kristallis on n-osas külluses elektrone ja p-osas külluses auke. Difusiooni toimel hakkab taolises olukorras toimuma
annaabi.ee 
