"pooljuhtkristalliga" - 1 õppematerjal

Elektriajamite elektroonsed susteemid

24 Dünaamilise paisu juhtimise korral määrab voolumuutusest sI ning pingemuutusest sU tulenevad liigpinged juhtlülitus. Lihtsamate kaitseviiside puhul vähendab IGBT-ja MOSFET- transistoride sulgemise liigpingeid suurem paisu jadatakistus (joonis 3.25, a) või vooluallika juhtimine (joonis 3.25, b). Siirde temperatuuri vahetu mõõtmine on võimalik vaid siis, kui temperatuuriandur paigutatakse siirdele võimalikult lähedale (nt monoliitlülituste puhul või ühendatakse temperatuuriandur pooljuhtkristalliga). Temperatuuri saab määrata kaudselt dioodi või türistori vastuvoolu mõõtmisega. Siiski on selliseid meetodeid rakendatud ainult intelligentsetes jõumoodulites. Transistor-jõumoodulite temperatuuri mõõdetakse jahutusradiaatorite pinnal või pooljuhtkristalliga ühendatud termoanduritega. Seega annavad mõõtmised soojuslike ajakonstantide tõttu vaid keskmise temperatuuri (temperatuuri dünaamiline pole võimalik).