Lubatud max vastuvool läbilöögireziimis on paljudel 1mA...1A. Seda ei tohi ületada. 1.9. Varikap VARIKAP kasutatakse vastupingel C = var , voolu ei juhi, mahtuvuse muutmiseks muudame alalispinget. varikapi vastuvool on A murdosa 1.10. Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Transistoride otstarve on reguleerida läbivvoolu U sis või isis'ga. Bipolaarseid juhitakse baasivooluga. Väljatransistoreid juhime paisupingega. Bipolaarsel transistoril on kolme kihiline struktuur. Emitter saadab voolukandjad teele, kollektor kogub Emitterist teele asunud voolukandjad kõik kokku ning Baas on imeõhuke ja ta reguleerib voolukandjate voogu Est Ksse. Bipolaarsel transistroil on arvestatav isis! Bipolaari üldskeem Ehitus silikooni põhjal npn transistor Kirchoffi reegliga ie = ik + ib s.o
SCHOTTKY: (haakrist otsas), ehitus: siirdemetall+pooljuht, kiiretes TTL lülitustes, pingelang väiksem 0,1-0,2V võrra. tunneldiood. 2. alus tavaliselt lättega koos. n-Kanal algusest peale olemas, paisu pingega seda laiendatakse/kitsendatakse. Neg pinge korral el.väli väga suur, vaesunud olek, pos korral küllastunud. Rsis=1012..1014ohm, isol SiO2. Alus tavaliselt ühend lättega. n-kanal ühendab taskuid valm hetkest. n-kanalis ja p-tüüpi aluse vahel pn siire. Paisupingega Upl muut kanal laisu 3pdf 3. Võimendab signaalide U1 ja U1’ vahet. Superpos.prints alusel K1=Uvalj/-U’ |U1=0 K2=Uvalj/U1 |U’=0 K1=R4/R3+R4*(1+ R2/R1), K2=-R2/R1. Uvalj=K1U1’+K2U1, kui võrdsed, siis Uvalj=Kudif(U1’-U1), Kudif=K1=-K2 8pdf 4. DTL, või TTL, 2pdf(dtl) 5. voolude summ kaalude järgi(erinevad takid) Uvalj=-Ut*R1/R0(Z0+2Z1+4Z2+8Z3). Puudused: *täpsus R/8 *Ut sõltuvus koormusest. K=-Uvalj/Usis. Sisendite järgi Ko=- R1/Ro*Zo…K3 14 pdf Pilet 8. 1
. DTL, või TTL, 2pdf(dtl). TTL: Arvutustehnika perifeerias laiendatakse/kitsendatakse. Neg pinge korral el.väli väga suur, vaesunud olek, pos korral kasutusel hea koormatavus (talub suuri koormusvoolusid). Standartne TTL 2NING-EI element küllastunud. Rsis=10 12..1014ohm, isol SiO2. Alus tavaliselt ühend lättega. n-kanal ühendab taskuid (10 mW, 10ns) valm hetkest. n-kanalis ja p-tüüpi aluse vahel pn siire. Paisupingega Upl muut kanal laisu 3pdf 3. Kõige kiiretoimelisem meetod. Kulutused on aga suured. Läheb tarvis mitu komparaatorit. Kui 3. Võimendab signaalide U1 ja U1' vahet. Superpos.prints alusel K1=Uvalj/-U' | U1=0 K2=Uvalj/U1 tahame tulemuseks saada n-bitilist väljundkoodi, siis on vaja 2n-1 komparaatorit. Alltoodud näites |U'=0 K1=R4/R3+R4*(1+ R2/R1), K2=-R2/R1. Uvalj=K1U1'+K2U1, kui võrdsed, siis n = 4, vastavalt komparaatorite arv: 24 1 =
MOS-transistoride alalispinge-reziim on pn-siirdega väljatransistoride omast mõnevõrra temperatuuritundlikum. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Võimendusreziimis peab ka siin lähtetööpunkt paiknema väljundtunnusjoonte sirges osas. Selleks on vaja, et neelupinge UDS >3...5V, kuna siis on neeluvool ID määratud üksnes paisupingega UGS. Lähtetööpunkti eelpingestamise viis oleneb väljatransistori puhul transistori liigist (pn- siirdega, formeeritud paisuga ja indutseeritud paisuga väljatransistor). pn-siirdega väljatransistori neelule ja paisule tuleb rakendada vastandpolaarsed pinged. Et seda tüüpi väljatransistori parameetrid sõltuvad temperatuurist vähe (neeluvool temperatuuri tõustes väheneb ülimalt 3% 10° kohta), siis võib kasutada lihtsaimat
annaabi.ee 
