Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse
Mõistete sõnaraamat
✍🏽 Avalikusta oma sahtlis olevad luuletused! Luuletus.ee Sulge
Mosfet - või IGBT-moodulite kaitseks liigvoolude, lühiste, kollektor-emitteri liigpinge, paisu liigpinge, liigkuumenemise eest ja juhtpingete UGG+ ning UGG- jälgimiseks soovitatakse mitmeid tõhusaid kaitse-ja diagnostikafunktsioone. IGBT/MOSFET-juhtimismoodulites kasutatakse vooluanduritena Halli andureid või mõõtetakisteid (šunte), mis ühendatakse emitteri/lätte väljaviiguga jadamisi (joonis 3.21, a).
Mosfet – Metal Oxyde Semiconductor) Et vähendada pinget hakati tegema sisseehitatud kanaliga MOP transistore (kanal on juba tehases valmistatud, selle suurust reguleeritakse pingega) Kanal on juba sisseehitatud, kuid paisupinge abil vaid laiendame või ahendame seda kanalit.
Mosfet - transistoridega ja IGBT-transistoridega. Nende keskmised võimsuste vahemikud on joonisel 2.5. Märkimisväärne on, et MOSFET-transistoride kiire areng leidis aset alles viimase kümne aasta vältel.
Mosfet - transistore kasutatakse peamiselt väikese ja keskmise võimsusega kõrgsageduslikes rakendustes. Tänaseni pole neid võimalik hankida 2 kV-st kõrgematele pingetele ja 2 kA-st suurematele vooludele.
Mosfet transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paralleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad.
Mosfet - ja IGBT-transistoride pärivoolude sõltuvuse juhtahela parameetritest saab leida nende väljundtunnusjoontelt, mis on antud nende tehniliste andmete lehtedel ja tootja kataloogides.
Mosfet - id) ning passiivsete või aktiivsete ahelatega, mis piiravad liigpingeid (aktiivne piiramine või paisu dünaamiline juhtimine). MOSFET-ja IGBT-transistoride kaitsmist
Mosfet - transistoride juhtivuskaod on võrdelised kanali takistusega ning põhiliselt määratud neeluvooluga
Mosfet - transistori paisu CGD ja neelu vaheline Põhjustatud paisu ja n-triivala ülekattest mahtuvus
Mosfet - transistori paisu Ülekate paisu ja lätte metalliseerimisel; sõltub paisu-lätte
Mosfet - transistorid on eelistatud väikese võimsusega ja kõrgsageduslikes rakendustes.
Mosfet - transistori neelu Siirde n-triivala ja p-kihi vaheline mahtuvus; sõltub siirde
Mosfet transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena.
Mosfet - transistoride summaarne võimsuskadu
Mosfet - transistoride lülituskaod on
Tulemused kuvatakse siia. Otsimiseks kirjuta üles lahtrisse(vähemalt 3 tähte pikk).
Leksikon põhineb AnnaAbi õppematerjalidel(Beta).

Andmebaas (kokku 683 873 mõistet) põhineb annaabi õppematerjalidel, seetõttu võib esineda vigu!
Aita AnnaAbit ja teata vigastest terminitest - iga kord võid teenida kuni 10 punkti.

Suvaline mõiste



Kirjelduse muutmiseks pead sisse logima
või
Kasutajanimi/Email
Parool

Unustasid parooli?

või

Tee tasuta konto

UUTELE LIITUJATELE KONTO AKTIVEERIMISEL +10 PUNKTI !


Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun