✍🏽 Avalikusta oma sahtlis olevad luuletused!Luuletus.ee
0
Mosfet - või IGBT-moodulite kaitseks liigvoolude, lühiste, kollektor-emitteri liigpinge, paisu liigpinge, liigkuumenemise eest ja juhtpingete UGG+ ning UGG- jälgimiseks soovitatakse mitmeid tõhusaid kaitse-ja diagnostikafunktsioone. IGBT/MOSFET-juhtimismoodulites kasutatakse vooluanduritena Halli andureid või mõõtetakisteid (šunte), mis ühendatakse emitteri/lätte väljaviiguga jadamisi (joonis 3.21, a).
Mosfet – Metal Oxyde Semiconductor) Et vähendada pinget hakati tegema sisseehitatud kanaliga MOP transistore (kanal on juba tehases valmistatud, selle suurust reguleeritakse pingega) Kanal on juba sisseehitatud, kuid paisupinge abil vaid laiendame või ahendame seda kanalit.
Mosfet - transistoridega ja IGBT-transistoridega. Nende keskmised võimsuste vahemikud on joonisel 2.5. Märkimisväärne on, et MOSFET-transistoride kiire areng leidis aset alles viimase kümne aasta vältel.
Mosfet - transistore kasutatakse peamiselt väikese ja keskmise võimsusega kõrgsageduslikes rakendustes. Tänaseni pole neid võimalik hankida 2 kV-st kõrgematele pingetele ja 2 kA-st suurematele vooludele.
Mosfet transistorid on leidnud küllalt laia kasutust ka suurevõimsuseliste nn. jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paralleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad.
Mosfet - ja IGBT-transistoride pärivoolude sõltuvuse juhtahela parameetritest saab leida nende väljundtunnusjoontelt, mis on antud nende tehniliste andmete lehtedel ja tootja kataloogides.
Mosfet - id) ning passiivsete või aktiivsete ahelatega, mis piiravad liigpingeid (aktiivne piiramine või paisu dünaamiline juhtimine). MOSFET-ja IGBT-transistoride kaitsmist
Tulemused kuvatakse siia. Otsimiseks kirjuta üles lahtrisse(vähemalt 3 tähte pikk). Leksikon põhineb AnnaAbi õppematerjalidel(Beta).
Andmebaas (kokku 683 873 mõistet) põhineb annaabi õppematerjalidel, seetõttu võib esineda vigu! Aita AnnaAbit ja teata vigastest terminitest - iga kord võid teenida kuni 10 punkti.