Vajalikud elektroonika komponendid muretsesin oomipoest, endal oli juba olemas valjuhääldi. Korpuse materjali soetasin k-rautast. VALMISTAMINE 1. Alustasin elektroonikaskeemi valmistamisega. Panin skeemi kokku õpetaja poolt antud alusele. Töö käik kulges edukalt ja skeem töötas esimesel katsetusel. 2. Hakkasin skeemi kokku jootma. Esinesid raskused komponentide kinnitamisel makettplaadile. 3. Tegevuse käigus avaldasin hooletultjootekolviga liiga suurt kuumust võimendi mikroskeemile, mis lakkas töötamast. Kuna olin tänu ootamatutele raskustele kaotanud hulga aega, otsustasin poest osta valmisskeemi. 4. Valmisskeemi kasutades kulges töö edasi palju kiiremini. VALMISTAMINE 5. Lõpuks sai elektroonika valmis, kuid täheldasin, et heli kvaliteet oli halvem, kui ise kokku pandud skeemil. 6. Hakkasin korpust valmistama. Kandsin toorikule mõõtmed ja saagisin detailid välja. 7. Kasutades nii naelu kui ka kruviliidet panin korpuse kokku ja
Toomas Ruuben. TTÜ Raadio ja sidetehnika 17 instituut. SISSEJUHATUS FPGA-sse. Majanduslikud näitajad FPGA omab madalat prototüübi hinda ja võimaldab kiirendada arendusprotsessi FPGA-de miinused Suhteliselt väike kiirus võrreldes MPGA-ga (Mask-Programmed Gate Array). Põhjus-Programmeeritavad lülitid-taksitus-mahtuvus Väiksem nn. loogiline tihedus (Loogikaelementide arv, mis oleks võimalik paigutada ühele mikroskeemile). Programmeeritavate lülitite loomine võtab chip-il ruumi. Chip-I suuruse määrab siiski tema sisendite-väljundite arv, mitte tema loogiliste plokkide ja ühenduste arv. Seega ei pruugi hinna mõttes loogiline tihedus olla probleemiks. Toomas Ruuben. TTÜ Raadio ja sidetehnika 18 instituut. 9 Kaks Suuremat FPGA-de tootjat
Chip, millel aadressisisend, data väljund ning ChipSelect, OutputEnabled ning Read/Write väljundid. Dünaamiline pooljuht-suvapöördusmälu (DRAM): Koosneb mälumaatriksist, milles küljes rea aadressi ning veeru aadressi puhvrid. RowAddressSelect ning ColumnAddressSelect sisendid, R/W sisend. Andmed tuleb mingi aja jooksul värskendada, vastasel juhul imbub laeng transistoritest välja & andmed hävivad. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on suured, kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike. Sp jagatakse DRAM-i aadress kaheks osaks rea aadress ja veeru aadress. DRAM juhtimine: rea ja veeru aadressid loetakse sisse samade väljaviikude kaudu. Ajaliselt toimub lugemine järjestikkuliselt, mis muudab mälu poole pöördumise aeglasemaks. FastPageMode DRAM mälus järjestikku paiknevad andmed paiknevad mälumaatriksi aktiveeritud rea järjestikustes veergudes.
Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike. Sellepärast jagatakse tavaliselt DRAM-i aadress kaheks osaks rea aadress ja veeru aadress. Järgnevatel piltidel on näidatud kuidas toimub nende aadresside sisselugemine samade väljaviikude kaudu. Kui on valitud rida ja veerg siis osutatakse ühele bitile maatriksis. Sõna järgulisus saavutatakse sellega, et neid maatrikseid on üksteise peal mitu kihti. Dünaamilise mälu juhtimine:
Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike. Sellepärast jagatakse tavaliselt DRAM-i aadress kaheks osaks rea aadress ja veeru aadress. Järgnevatel piltidel on näidatud kuidas toimub nende aadresside sisselugemine samade väljaviikude kaudu. Kui on valitud rida ja veerg siis osutatakse ühele bitile maatriksis. Sõna järgulisus saavutatakse sellega, et neid maatrikseid on üksteise peal mitu kihti. Dünaamilise mälu juhtimine:
Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike. Sellepärast jagatakse tavaliselt DRAM-i aadress kaheks osaks rea aadress ja veeru aadress. Järgnevatel piltidel on näidatud kuidas toimub nende aadresside sisselugemine samade väljaviikude kaudu. Kui on valitud rida ja veerg siis osutatakse ühele bitile maatriksis. Sõna järgulisus saavutatakse sellega, et neid maatrikseid on üksteise peal mitu kihti. Dünaamilise mälu juhtimine:
annaabi.ee 
