In2O3 saadakse nitraadi või hüdroksiidi kuumutamisel;Kasut.:läbipaistvad elektrit juhtivad kiled klaasil, vilgul, lavsaanil jt. materjalidel,mida kasutatakse vedelkristall näiturite valmistamisel; valgustjuhtivate elementide elektroodid; raadiotehnikas ja elektroonikas: elektrikontaktid (kinnitub hästi klaasiga jt. materjalidega); eriklaasides, mis neelavad soojusneutrone. [Ge kristalli ühendatud Inkihiga kaetud kontakttraat see ongi pooljuhtdiood. Tallium: Avastas sp ektraalanal üü sig a William Crook e s ; W.Crook e s (1832 1919) väga kuulus ingl. ke e mik ja füüsik . Tl: nii ele m e n di kui lihtainena me e n uta b ühelt poolt leelis m et alle, teisalt pliid . Räni: Maakoor e s leviku poole st on Si ele m e ntid e sea s 2. kohal. Ehedat räni loodu s e s ei leidu . SiO 2
suur liikuvus (sobivad veel Ge, GaAs) InP (indiumfosfiid) Kasut.: pooljuhtlaserites valgusdioodides kõrgsagedusgeneraatorites transistorides valgustundlikes elementides In (lihtaine) – peam. kasutusalad Ge ja Si äärmiselt tähtis lisand (tekitab p-n ülemineku pooljuhtides) p - aukjuhtivus n - elektronjuhtivus ↑ In [Ge kristalli ühendatud In-kihiga kaetud kontakttraat – see ongi pooljuhtdiood p - n - p -struktuur: transistorid (pooljuhttrioodid)] hermetiseeriv materjal vaakumseadistes ja kosmoseaparaatides ühendusmaterjal piesoelektril. kristallidele laagrite pinnakatted (vähendab hõõrdumist, pikendab laagrite eluiga) kattematerjal peeglitele ja reflektoritele (õhuke pealmine kiht) kergsulavate sulamite komponent * joodised * temperatuuripiirajad * kaitsmed * signalisatsiooniseadised
annaabi.ee 
