Elektroonika alused (õpik,konspekt)
Kui aga üheaegselt on pingestatud nii emitter-kui
kollektorsiire, muutub voolude jagunemine transistoris tunduvalt. Oluline on see, et baas
kujundatakse võimalikult kitsana. Elektriväli mõjub ainult siirde tsoonides ja baasi muus
osas elektriväli puudub. Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma
difusiooni toimel. Kuna baas on väga kitsas, siis enamik elektrone, liikudes difusiooni
toimel, ei jõua baasielektroodini, vaid kollektorsiirdesse. Kollektorsiirdes aga mõjub
elektriväli, mis suunab sinna sattunud elektronid kollektorisse. Seega jaguneb emittervool
baasi- ja kollektorvooluks. Sealjuures on baasivool kollektorvoolust tunduvalt
väiksem (tavaliselt 1... 8%):
I E = I c + I B ; I B « Ic ; I E Ic
Täpsemalt, IK = A · IE , kus A on vooluülekandetegur ehk staatiline
voolu-võimendustegur, A väärtus on vahemikus 0,92 .. .0,99.
Kui rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka