laotamine seinale; telliste ladumine pindridadesse ja täidisridadesse vastavalt ettevalmistatud mördipeenrale; ladumise õigsuse kontrollimine; vuukimine. Joonis 7.12 Tellismüüritise elemendid: a ja b piki- ja põikikiviread, c müüritise elemendid, d täistellised ja mittetäismõõdulised (raiutud) tellised ja nende tähistamine Seina ladumise alustamisel asetatakse vundamendil olevale isoleerkihile kõigepealt mördikiht, millele omakorda laotakse põiketelliste kiht kogu seina paksuses. Seejärel laotakse seina nurkadesse 5...6 kihi kõrgused majakad. Majakate ülesandeks on laotavale seinale vertikaalsuuna ja telliskihtidele horisontaalsuuna andmine. Ka saab majakate külge kinnitada suundnööri. 9 Joonis 7.13 Ladumine majakate abil: a suundnööri pingutamine pingutustellise abil, b suundnööri kinnitamine nurgamajakatele
58 kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on see elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad p-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 7.6. JOONIS 7.6. Kuigi eelnimetatud põhjustel kasutatakse enamasti n-kanaliga MOSFET transistore, toodetakse ja
elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest. Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. 65 JOONIS 5.5.
Kui paisupinge on negatiivne, on elektriväli suunatud aluselt paisule ja hakkab elektrone paisualusest tsoonist ära tõrjuma. Paisu all tekib tühjenduspiirkond ehk 46 vaeguspiirkond, kust elektronid on lahkunud; kanali ristlõige väheneb koos voolu vähenemisega. Negatiivse paisupinge teatud väärtusel kanal sulgub. Sellist reziimi nimetatakse vaegusreziimiks. Tänu paisu all olevale isoleerkihile võime anda paisule ka positiivse pinge. See on rikastusreziim, kus elektriväli on suunatud paisult alusele. Selle toimel nihkuvad P-tsooni augud aluse suunas ja kanal laieneb koos voolu suurenemisega. Seega võib formeerkanaliga MOSFET transistor töötada mõlemapolaarse paisu-pingega. Sellise transistori ülekande- ja väljundtunnusjooned on toodud joonisel 5.5. JOONIS 5.5.
annaabi.ee 
